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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ET | 2023-11-11 13:35 |
香川 | 香川大学 幸町キャンパス＋オンライン開催 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
対話型生成 AI による TOEIC 写真描写問題の選択肢生成 ○前川恵一・井上 俊果 マライカ・卯木輝彦（関西外国語大）  ET2023-28 |
[more] | ET2023-28 pp.22-26 |
| SDM | 2020-02-07 09:35 |
東京 | 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室（419号室) | ［招待講演］強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果 ○山口 直・前川径一・大原隆裕・天羽生 淳・佃 栄次・園田賢一郎・柳田博史・井上真雄・松浦正純・山下朋弘（ルネサス エレクトロニクス） SDM2019-89 |
[more] | SDM2019-89 pp.5-8 |
| SDM | 2020-01-28 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Impact of Homogeneously Dispersed Al Nanoclusters by Si-monolayer Insertion into Hf0.5Zr0.5O2 Film on FeFET Memory Array with Tight Threshold Voltage Distribution ○前川径一（ルネサス） SDM2019-83 |
[more] | SDM2019-83 pp.5-8 |
| SDM | 2016-10-26 15:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術 ○槇山秀樹・山本芳樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・石橋孝一郎（電通大）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-71 |
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] | SDM2016-71 pp.15-20 |
| SDM | 2016-10-26 16:10 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作 ○山本芳樹・槇山秀樹・長谷川拓実・岡西 忍・前川径一・新川田裕樹・蒲原史朗・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・杉井信之（日立）・水谷朋子・平本俊郎（東大） SDM2016-72 |
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた6T-SRAMの超低... [more] | SDM2016-72 pp.21-25 |
| ICD | 2015-04-16 13:50 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］車載MCUにおける-40～170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM ○横山佳巧・石井雄一郎・福田達哉・辻橋良樹・宮西篤史（ルネサス エレクトロニクス）・朝山 忍・前川径一・柴 和利（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-3 |
40nm Flash混載CMOSプロセスを使用して、自動車アプリケーションMCU用に-40～170℃で動作するDual-... [more] | ICD2015-3 pp.9-14 |
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