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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2015-07-24 15:35 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性 ○矢野裕司（奈良先端大/筑波大）・結城広登・冬木 隆（奈良先端大）  ED2015-41 |
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] | ED2015-41 pp.25-29 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 11:30 |
京都 | 京都大学 | ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用 ○真鍋満顕・阪川秀紀・西村英紀（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人）・冬木 隆（奈良先端大） EID2014-19 SDM2014-114 |
BSG (ボロンシリケートガラス) を用いたレーザードーピングでは、基板との溶融・再結晶が難しいため、高濃度なボロンドー... [more] | EID2014-19 SDM2014-114 pp.31-35 |
| SDM | 2013-12-13 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-119 |
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] | SDM2013-119 pp.19-23 |
| SDM | 2013-12-13 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製 ○山本悠貴・西村英紀・岡村隆徳・福永圭吾・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-121 |
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にド... [more] | SDM2013-121 pp.31-35 |
| SDM | 2013-12-13 11:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 ○岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） SDM2013-122 |
レーザードーピングはフォトリソグラフィーなどによるマスクなしで簡便に局所的な不純物ドープが可能であるため，セレクティブエ... [more] | SDM2013-122 pp.37-41 |
| SDM | 2013-12-13 17:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 ○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-134 |
三フッ化塩素を用いてプラズマレスで4°オフ角の炭化珪素ウエーハを化学的にエッチングした。 (0001)Si面および(00... [more] | SDM2013-134 pp.107-112 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM | 2012-12-07 10:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング ○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-116 |
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] | SDM2012-116 pp.7-12 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| SDM | 2012-12-07 14:30 |
京都 | 京都大学(桂) | テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善 ○西村英紀・田中成明・森崎翔太・湯本伸伍・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-129 |
レーザードーピング（LD）は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを... [more] | SDM2012-129 pp.83-87 |
| SDM | 2012-12-07 14:45 |
京都 | 京都大学(桂) | レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化 ○森崎翔太・西村英紀・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-130 |
[more] | SDM2012-130 pp.89-93 |
| SDM | 2012-12-07 15:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化 ○湯本伸伍・西村英紀・平田憲司・杉村恵美・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-131 |
レーザードーピング（LD）は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太... [more] | SDM2012-131 pp.95-99 |
| SDM | 2012-12-07 15:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析 ○杉村恵美・嶋崎成一・谷 あゆみ・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-133 |
太陽電池の空間的な欠陥評価法としてエレクトロルミネッセンス(EL)イメージング法が注目されている。順方向バイアス印加時の... [more] | SDM2012-133 pp.107-111 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
| SDM | 2010-12-17 11:20 |
京都 | 京都大学(桂) | 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング ○長谷川光洋・平田憲司・高山 環・舟谷友宏・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-189 |
近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減とい... [more] | SDM2010-189 pp.25-28 |
| SDM | 2010-12-17 11:40 |
京都 | 京都大学(桂) | 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化 ○舟谷友宏・平田憲司・高山 環・長谷川光洋・冬木 隆（奈良先端大） SDM2010-190 |
近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザード... [more] | SDM2010-190 pp.29-32 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| SDM | 2008-12-05 13:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価 ○入船裕行・矢野裕司・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大） SDM2008-189 |
我々は，これまでにバイオナノドット（BND）を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた．本研究... [more] | SDM2008-189 pp.27-30 |
| SDM | 2008-12-05 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 ○大城ゆき・岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2008-190 |
[more] | SDM2008-190 pp.31-35 |
| SDM | 2008-06-10 14:35 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ ○小原孝介・浦岡行治・冬木 隆・山下一郎（奈良先端大）・八重樫利武・茂庭昌弘・吉丸正樹（半導体理工学研究センター） SDM2008-57 |
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている... [more] | SDM2008-57 pp.89-92 |
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