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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 11:05 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
三次元整流効果を導入したグラフェンレクテナFETによる高感度THz波検出の提案 ○関 宏信・内ケ崎新之介・田村紘一・唐 超・佐藤 昭・吹留博一（東北大）・末光哲也（NICHe）・内野 俊（東北工大）・瀧田悠馬・南出泰亜（理研）・尾辻泰一（東北大）  ED2023-64 MWPTHz2023-74 |
超スマート社会の実現に向けて、5G を超える次世代の高速・大容量無線通信技術が求められている。そのために、THz 帯の電... [more] | ED2023-64 MWPTHz2023-74 pp.52-57 |
| CPM | 2022-08-04 16:15 |
北海道 | 北見工業大学 | マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果 ○西田竜也・谷口 颯・佐藤聖能・小林康之・遠田義晴・鈴木裕史（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2022-15 |
炭化ホウ素(B4C)ターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタ法によりアモルファスB4C薄膜およびH2を導入して水素化ア... [more] | CPM2022-15 pp.14-17 |
| CPM | 2020-10-29 15:10 |
ONLINE | オンライン開催 | マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果 ○谷口 颯・郡山春人・小林康之・遠田義晴（弘前大）・吹留博一（東北大）・中澤日出樹（弘前大） CPM2020-17 |
[more] | CPM2020-17 pp.23-26 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 14:55 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 光励起多層グラフェンにおける広帯域テラヘルツ光放射の観測 ○込山貴大・渡辺隆之（東北大）・セルゲイ モロゾフ・ミカイル ファディーフ・ウラジーミル ウートチキン（IPM-RAS）・吹留博一・佐藤 昭・尾辻泰一（東北大） ED2019-80 |
SiC基板のC面上に熱分解により成長させたNon-Bernal積層エピタキシャル多層グラフェンを波長2.3 μmの近赤外... [more] | ED2019-80 pp.17-20 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-17 16:35 |
宮城 | 東北大・通研 | SiC表面分解により生成したグラフェンの層間結合力測定 ○田邉匡生・唐 超・布施吉貴・菅原健太・込山貴大・佐藤陽平・吹留博一・尾辻泰一・小山 裕（東北大） ED2018-59 |
ファンデルワールス力は1937年にロンドンにより説明されているが、80年が経過した現在でも測定されていない。本研究は2次... [more] | ED2018-59 pp.25-26 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 15:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 ○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフ ディピカ・込山貴大・布施吉貴（東北大）・リジー マキシム（会津大）・リジー ヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2017-91 |
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する．SiC基板の熱... [more] | ED2017-91 pp.73-76 |
| CS, OCS (併催) |
2016-01-22 09:50 |
鹿児島 | 鹿児島大学 稲盛アカデミー（郡元キャンパス） | 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換 ○菅原健太・玉虫 元・アドリアン ドブロユ・吉田智洋・末光哲也・吹留博一・末光眞希・リズィー ビクトール・岩月勝美（東北大）・桑野 茂・可児淳一・寺田 純（NTT）・尾辻泰一（東北大） OCS2015-95 |
グラフェンチャネルFET(G-FET)，及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し，それらトランジスタを用... [more] | OCS2015-95 pp.41-46 |
| ED | 2015-12-21 15:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2015-95 |
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] | ED2015-95 pp.25-30 |
| ED | 2013-04-19 11:35 |
宮城 | 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム | Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成 ○舩窪一智・猪俣州哉・佐藤 良・朴 君昊（東北大）・小嗣真人（高輝度光科学研究センター）・吹留博一・末光真希（東北大） ED2013-15 |
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] | ED2013-15 pp.59-62 |
| ED | 2012-04-18 13:25 |
山形 | 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 | 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 ○吹留博一・川合祐輔・末光眞希（東北大） ED2012-2 |
我々は、次世代デバイス材料：グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、... [more] | ED2012-2 pp.5-7 |
| ED | 2009-04-24 09:50 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 | Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術 ○半田浩之・宮本 優・齋藤英司・吹留博一・伊藤 隆（東北大）・末光眞希（東北大/JST） ED2009-10 |
近年，産業への適応性から，SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている．しか... [more] | ED2009-10 pp.39-43 |
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