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 41件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-12-01
16:40
静岡 アクトシティ浜松 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現
牟田実広大神裕之毛利健吾河島宏和日本タングステン)・前田哲利アジマル カーン鹿嶋行雄松浦恵里子中村勇稀住司 光桐原大河理研)・藤川紗千恵矢口裕之埼玉大)・祝迫 恭日本タングステン)・平山秀樹理研ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77
本研究では、人体無害波長230nm帯遠紫外線LEDの短波長化と高出力化の開発を行った。AlGaNバッファー層の高Al組成... [more] ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77
pp.102-105
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:50
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の内部量子効率と励起子系誘導放出特性
室谷英彰徳山高専)・田邊凌平久永桂典濱田 晟別府寛太山口大)・前田哲利M. Ajmal Khan定 昌史平山秀樹理研)・山田陽一山口大ED2020-23 CPM2020-44 LQE2020-74
フォトルミネッセンス測定によりAlGaN系UV-C量子井戸構造の内部量子効率と誘導放出特性を評価した.内部量子効率は室温... [more] ED2020-23 CPM2020-44 LQE2020-74
pp.87-90
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
14:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 水平寄生電流リークを低減することにより高出力THz QCLの進展
林 宗澤王 利理研)・王 科南京大)・平山秀樹理研ED2019-78
Terahertz quantum cascade lasers (THz QCLs) are a promising ... [more] ED2019-78
pp.9-12
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
12:45
静岡 静岡大学(浜松) DCスパッタAlNテンプレートを用いたUVC-LEDの進展
最上耀介理研/埼玉大)・大澤篤史尾崎一人谷岡千丈前岡淳史SCREEN)・糸数雄吏桑葉俊輔理研/埼玉大)・定 昌史前田哲利理研)・矢口裕之埼玉大)・平山秀樹理研ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96
殺菌,浄水など幅広い用途への応用をもつAlGaN系UVC-LED作製には高品質なAlN基板,もしくはテンプレートが必要で... [more] ED2019-53 CPM2019-72 LQE2019-96
pp.85-88
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
13:50
愛知 名古屋工業大学 AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展
前田哲利理研)・山田陽一山口大)・定 昌史平山秀樹理研ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88
 [more] ED2018-34 CPM2018-68 LQE2018-88
pp.9-12
LQE 2017-12-15
14:10
東京 機械振興会館 [招待講演]Recent progress of AlGaN deep-UV LEDs
Hideki Hirayama・○Masafumi JoNoritoshi MaedaRIKEN)・Yukio KashimaMarubunLQE2017-91
 [more] LQE2017-91
pp.21-26
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
10:55
愛知 名古屋工業大学 フォトニック結晶深紫外LEDの実現 ~ p型コンタクト層における高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率10%動作 ~
鹿嶋行雄丸文)・前田哲利理研)・松浦恵里子丸文)・定 昌史理研)・岩井 武森田敏郎東京応化)・小久保光典田代貴晴東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・倉島優一高木秀樹産総研)・平山秀樹理研ED2017-60 CPM2017-103 LQE2017-73
 [more] ED2017-60 CPM2017-103 LQE2017-73
pp.55-60
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
15:35
愛知 名古屋工業大学 m面サファイア上半極性AlNのアニールによる高品質化
定 昌史南 聡史平山秀樹理研ED2017-68 CPM2017-111 LQE2017-81
 [more] ED2017-68 CPM2017-111 LQE2017-81
pp.91-94
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
09:30
京都 京大桂キャンパス m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性
大島一晟理研/埼玉大)・定 昌史前田哲利理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85
 [more] ED2016-69 CPM2016-102 LQE2016-85
pp.61-66
ED 2015-12-21
15:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 GaN系未開拓波長QCLの進展
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2015-96
 [more] ED2015-96
pp.31-35
ED 2015-12-21
16:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 77 KデュワータイプTHz QCLsの高出力化
林 宗澤寺嶋 亘平山秀樹理研ED2015-97
 [more] ED2015-97
pp.37-40
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
13:05
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 GaN系THz-QCLの最近の進展
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2015-84 CPM2015-119 LQE2015-116
 [more] ED2015-84 CPM2015-119 LQE2015-116
pp.81-84
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
13:30
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 無極性a面AlGaN/AlNの高温成長と深紫外発光特性
定 昌史平山秀樹理研ED2015-85 CPM2015-120 LQE2015-117
 [more] ED2015-85 CPM2015-120 LQE2015-117
pp.85-88
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
13:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 m面サファイア上AlGaN/AlNの結晶成長と光学特性
大島一晟埼玉大/理研)・定 昌史前田哲利理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研ED2015-86 CPM2015-121 LQE2015-118
 [more] ED2015-86 CPM2015-121 LQE2015-118
pp.89-93
ED 2014-12-23
10:30
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 [招待講演]純粋3準位レーザ構造を用いたGaN系テラヘルツ量子カスケードレーザの実現
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2014-110
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するIII族窒化物半導体はテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の「発振周波... [more] ED2014-110
pp.69-74
ED 2014-12-23
11:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 モジュレーションバリアAlGaAs/GaAs量子カスケードレーザの3.7 THz発振
林 宗澤平山秀樹理研ED2014-111
 [more] ED2014-111
pp.75-78
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術
鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴大川貴史東芝機械)・上村隆一郎長田大和アルバック)・藤川紗千恵平山秀樹理研ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
フォトニック結晶を窒化物LEDに形成し、光取出し効率を向上した結果を示す。また、シミュレーションによるフォトニック結晶の... [more] ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107
pp.27-32
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
14:55
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板(PSS)を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製
金沢裕也豊田史朗大島一晟埼玉大/理研)・鎌田憲彦埼玉大)・鹿嶋行雄松浦恵里子丸文)・嶋谷 聡東京応化)・小久保光典田代貴晴東芝機械)・大川貴史上村隆一郎長田大和アルバック)・平山秀樹理研ED2014-81 CPM2014-138 LQE2014-109
 [more] ED2014-81 CPM2014-138 LQE2014-109
pp.39-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
09:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 2量子井戸構造を用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの発振動作の実現
寺嶋 亘平山秀樹理研ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113
巨大な縦光学フォノンエネルギーを有するGaN系半導体はテラヘルツ帯量子カスケードレーザ(THz-QCL)の“発振周波数帯... [more] ED2014-85 CPM2014-142 LQE2014-113
pp.59-62
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
09:55
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MOCVDを用いたGaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)の作製と7THz発振動作
豊田史朗理研/埼玉大)・寺嶋 亘理研)・鎌田憲彦埼玉大)・平山秀樹理研/埼玉大ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112
テラヘルツ量子カスケードレーザ(THz-QCL)は小型,連続動作,狭線幅,高出力,長寿命といった特長を持つことから,簡便... [more] ED2014-84 CPM2014-141 LQE2014-112
pp.55-58
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