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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
14:50
岐阜 ワークプラザ岐阜 サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算回路の設計と評価
阿部 岳アンドリノ ロベルト二瓶匠充原田知親山形大CAS2023-42 NLP2023-41
本論文では、0.18μm CMOS 技術を用いて、サブスレッショルド領域で動作するアップダウンカウンタを用いたPWM加算... [more] CAS2023-42 NLP2023-41
pp.53-57
NLP, CAS
(共催)
2023-10-06
15:10
岐阜 ワークプラザ岐阜 周波数逓倍回路による変換分解能向上を目指したPWM/Digital変換器の研究
張 鶴アンドリノ ロベルト原田知親山形大CAS2023-43 NLP2023-42
IoT(Internet of Things)デバイスでは、消費電力の削減が望まれている。消費電力を抑えるため、リーク電... [more] CAS2023-43 NLP2023-42
pp.58-61
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-02
14:45
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
センサ・回路設計の共通プラットフォーム素子としての多端子MOSFET
原田知親山形大SDM2023-47 ICD2023-26
本研究では、本研究室で以前からセンサ・回路素子として研究開発されている長方形タイプ多端子MOSFETと8角形タイプ多端子... [more] SDM2023-47 ICD2023-26
pp.56-59
CPM 2022-03-01
15:55
ONLINE オンライン開催 多端子MOSFETによるインバータを流れる電流の間接計測とその評価
山口慶人鈴木慎弥及川康太原田知親山形大CPM2021-81
本研究では、センサの低コスト化や微細化、小面積化が期待されているMOSFET型センサである多端子MOSFETにより構成さ... [more] CPM2021-81
pp.36-39
CPM 2021-03-03
16:10
ONLINE オンライン開催 0.18μm多端子MOSFET型センサの磁界検出動作の評価
鈴木慎弥及川康太原田知親山形大CPM2020-77
本研究では、センサの低コスト化や微細化が期待されているMOSFET型センサである多端子MOSFETを用いて磁界検出動作と... [more] CPM2020-77
pp.74-77
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
15:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路
小嶋文也原田知親山形大SDM2018-32 ICD2018-19
集積回路の微細化による高集積化で、回路の小型化や動作速度の向上が実現されているが、リーク電流等により消費電力が減少しない... [more] SDM2018-32 ICD2018-19
pp.35-40
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:15
北海道 北海道大学情報教育館 8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価
原田知親山形大SDM2017-32 ICD2017-20
センサ素子を、Si材料、更にMOSFET型とすることにより、素子が既存のSiプロセスで作製可能で、低コスト化、回路組込が... [more] SDM2017-32 ICD2017-20
pp.7-12
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-02
15:15
東京 機械振興会館 多端子有機TFT温度検出素子の試作と評価
竹内宏介寒河江貴之原田知親山形大ICD2014-107 CPSY2014-119
現在、あらゆる電子機器にはセンサが用いられ、それらを使って温度・光等の環境情報をモニタリングし、システム全体の故障検出や... [more] ICD2014-107 CPSY2014-119
pp.129-134
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]同期後の動作が簡略化可能な0.5V駆動サブスレッショルドDPLLの設計
渡辺晃輔原田知親山形大ICD2013-129
本研究では、電源電圧0.5V、サブスレッショルド領域で動作するDPLL回路の検討を行った。同期後の微調動作を、加算器等を... [more] ICD2013-129
pp.67-72
ICD 2012-12-17
11:50
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール 擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価
梅津哲也原田知親奥山澄雄松下浩一山形大ICD2012-89
現在の集積回路では,Siチップを保護するためにパッケージングが施されるが,それによってチップ内に応力が発生する場合がある... [more] ICD2012-89
pp.11-16
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-22
14:45
広島 広島工業大学 サブスレショルド動作PWM駆動アナログ差動増幅器の評価
原田知親大滝竜矢山形大ICD2011-34
 [more] ICD2011-34
pp.107-112
ICD 2010-12-16
15:10
東京 東京大学 先端科学技術研究センター [ポスター講演]動作周波数を向上させた0.5Vサブスレッショルド駆動アナログ増幅回路の設計
森 隆司原田知親松下浩一奥山澄雄山形大ICD2010-103
MOSFETのサブスレショルド電流で駆動する折り返しカスコード型のアナログ増幅回路について報告する。n型とp型の差動対を... [more] ICD2010-103
pp.49-53
ED 2010-09-13
13:25
福岡 九州工業大(若松キャンパス) キャパシタカップリングされた基板ゲートをもつSOI-MOSFETひずみ検出素子の動作特性
原田知親奥山澄雄松下浩一山形大ED2010-124
 [more] ED2010-124
pp.7-12
ICD, ITE-IST
(連催)
2010-07-23
09:15
大阪 常翔学園大阪センター サブスレショルド電流で駆動する0.5V CMOSアナログ増幅器の試作評価
原田知親山形大ICD2010-30
 [more] ICD2010-30
pp.55-60
ICD 2009-12-14
13:30
静岡 静岡大学(浜松) [ポスター講演]広入出力範囲を有する極低電圧駆動2段増幅回路
高橋良輔原田知親奥山澄雄松下浩一山形大ICD2009-85
MOSFETのサブスレッショルド電流のみで駆動する極低電圧アナログ増幅回路について報告する.
n型とp型の2種類の差動... [more]
ICD2009-85
pp.49-53
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-24
08:55
北海道 北海道大学 情報教育館3F SOI-MOSFETを用いた能動型ひずみセンサの試作評価
原田知親神谷悠介奥山澄雄松下浩一山形大ICD2008-79
 [more] ICD2008-79
pp.119-124
ED 2008-03-07
11:40
山形 伝国の杜(米沢) 陰極にPd-Auを用いた有機EL水素ガスセンサの作製と評価
井口典志奥山澄雄原田知親松下浩一山形大ED2007-264
陰極にパラジウムを用いることで,水素存在下のみで発光する有機EL素子ガスセンサがを作製できる.本研究では,Pd-有機膜間... [more] ED2007-264
pp.67-70
CPM 2007-08-10
09:15
山形 山形大学 ひずみセンサ一体型ダイアフラム構造水素ガスセンサの作製
渡辺優太奥山澄雄原田知親松下浩一山形大CPM2007-44
SOI(silicon on insulator)基板上にPdを蒸着したダイアフラムをマイクロマシニングによって形成し、... [more] CPM2007-44
pp.45-48
CPM 2007-08-10
10:55
山形 山形大学 Siバイメタルを利用した温度変化型可変容量コンデンサの試作・評価
鈴木敦広原田知親奥山澄雄長沼 博松下浩一山形大CPM2007-47
近年,MEMSセンサの小型化が求められている.その小型化の方法として,MEMSと周辺回路を積層させ,小型化を図った圧力セ... [more] CPM2007-47
pp.59-64
ICD, ITE-IST
(共催)
2007-07-26
08:30
兵庫 神戸大学瀧川記念学術交流会館 記憶保持動作つきCMOSアナログ記憶回路
原田知親山田 卓奥山澄雄松下浩一山形大ICD2007-37
 [more] ICD2007-37
pp.1-4
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