| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-12-13 10:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価 ○福永圭吾・畑山智亮・矢野裕司・岡本尚文・谷 あゆみ・石河泰明・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2013-119 |
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] | SDM2013-119 pp.19-23 |
| SDM | 2013-12-13 17:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化 ○堀 良太・畑山智亮・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-134 |
三フッ化塩素を用いてプラズマレスで4°オフ角の炭化珪素ウエーハを化学的にエッチングした。 (0001)Si面および(00... [more] | SDM2013-134 pp.107-112 |
| SDM | 2013-06-18 15:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化 ○矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2013-58 |
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] | SDM2013-58 pp.71-76 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-17 14:55 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 ○三宅景子・安田智成・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 |
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] | ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40 pp.93-98 |
| SDM | 2012-12-07 10:15 |
京都 | 京都大学(桂) | 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング ○畑山智亮・堀 良太・田村哲也・矢野裕司・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-116 |
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] | SDM2012-116 pp.7-12 |
| SDM | 2012-12-07 10:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 4H-SiC（11-20）面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果 ○梅澤奈央・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2012-118 |
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] | SDM2012-118 pp.19-23 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価 ○吉原一輝・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 |
SiCは大電力、低損失デバイス材料として期待されているが、デバイス性能に多大な影響を与える結晶欠陥を解明するには至ってい... [more] | ED2012-31 CPM2012-15 SDM2012-33 pp.67-72 |
| SDM | 2011-12-16 10:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2011-134 |
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] | SDM2011-134 pp.11-15 |
| SDM | 2009-12-04 09:40 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減 ○岡本 大・矢野裕司・平田憲司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大） SDM2009-152 |
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し，界面準位密度の変化を調べた． B, N, F, Al, P... [more] | SDM2009-152 pp.5-10 |
| SDM | 2008-12-05 14:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性 ○大城ゆき・岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2008-190 |
[more] | SDM2008-190 pp.31-35 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 15:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価 ○松下由憲・加藤正史・市村正也（名工大）・畑山智亮（奈良先端大）・大島 武（原子力機構） ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 |
SiCは高出力，高周波デバイスの材料として注目されている．実用化を妨げる原因のひとつとしてウェハー中の結晶欠陥の存在が挙... [more] | ED2008-20 CPM2008-28 SDM2008-40 pp.95-100 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-11 14:05 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化 ○藤井茉美・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大）・Ji Sim Jung・Jang Yeon Kwon（サムスン総合技術院） SDM2008-10 OME2008-10 |
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO（GIZO）薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] | SDM2008-10 OME2008-10 pp.47-50 |
| SDM | 2007-12-14 16:40 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 4H-SiC nMOSFETおよびpMOSFETに対するチャージポンピング測定 ○岡本 大・矢野裕司・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-234 |
4H-SiC nMOSFETとpMOSFETに対してチャージポンピング（CP）測定を行った．nチャネルMOSFETに対し... [more] | SDM2007-234 pp.51-54 |
| SDM | 2007-06-07 16:45 |
広島 | 広島大学（学士会館） | 高圧水蒸気処理によるSiO2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性 ○矢野裕司・武田大輔・畑山智亮・浦岡行治・冬木 隆（奈良先端大） SDM2007-38 |
パワーMOSFET用材料として注目されている4H-SiCであるが，MOSFETの反転層チャネル移動度が小さいという問題が... [more] | SDM2007-38 pp.37-42 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]