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 15件中 1~15件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
13:00
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
高温動作向けナノブリッジベースの不揮発性メモリマクロ
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBS
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ICD 2023-04-11
14:10
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]混載不揮発性メモリ向けのナノブリッジ技術
根橋竜介岡本浩一郎阪本利司多田宗弘NBSICD2023-11
ナノブリッジは、電気化学反応を利用した抵抗変化素子の一種である。ナノブリッジは、CMOS性能を犠牲にすることなく、通常の... [more] ICD2023-11
pp.24-28
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
14:35
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]28nm不揮発プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発
根橋竜介伴野直樹宮村 信森岡あゆ香白 旭岡本浩一郎井口憲幸沼田秀昭波田博光杉林直彦阪本利司多田宗弘NECSDM2018-51 ICD2018-38
 [more] SDM2018-51 ICD2018-38
pp.131-135
ICD 2017-04-21
11:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]高耐熱ポリマー固体電解質(TT-PSE)を用いた不揮発プログラマブルロジック向け高信頼性Cu原子スイッチ
岡本浩一郎多田宗弘伴野直樹井口憲幸波田博光阪本利司宮村 信辻 幸秀根橋竜介森岡あゆ香白 旭杉林直彦NECICD2017-13
低消費電力FPGAを実現可能とするCu架橋の形成でスイッチングする原子スイッチについて、Cuイオンが伝導するポリマー固体... [more] ICD2017-13
pp.67-72
ICD 2017-04-21
11:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]原子スイッチFPGAの高密度化とスケーラビリティ
辻 幸秀白 旭森岡あゆ香宮村 信根橋竜介阪本利司多田宗弘伴野直樹岡本浩一郎井口憲幸波田博光杉林直彦NECICD2017-14
SRAMとCMOSスイッチの代わりに、原子レベル(数nm)の金属架橋の有無で抵抗が大きく変化する不揮発スイッチ素子(原子... [more] ICD2017-14
pp.73-78
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NECSDM2014-69 ICD2014-38
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
ICD 2014-04-17
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ
松永翔雲東北大)・崎村 昇根橋竜介杉林直彦NEC)・夏井雅典・○望月 明遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2014-8
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため,90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] ICD2014-8
pp.39-44
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2013-9
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2012-10
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
14:10
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NECSDM2009-114 ICD2009-30
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] SDM2009-114 ICD2009-30
pp.91-95
ICD 2009-04-13
14:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
杉林直彦根橋竜介崎村 昇本庄弘明斉藤信作NEC)・伊藤雄一NECエレクトロニクス)・三浦貞彦加藤有光森 馨NEC)・尾崎康亮小林洋介NECエレクトロニクス)・大嶋則和木下啓藏鈴木哲広永原聖万NECICD2009-3
 [more] ICD2009-3
pp.13-17
ICD 2008-04-18
13:55
東京 機械振興会館 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
根橋竜介崎村 昇杉林直彦本庄弘明齊藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-12
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] ICD2008-12
pp.63-68
ICD 2008-04-18
14:20
東京 機械振興会館 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明斉藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-13
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] ICD2008-13
pp.69-74
ICD 2007-04-12
09:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 混載向け高速MRAMセル技術
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明志村健一笠井直記NECICD2007-1
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍... [more] ICD2007-1
pp.1-5
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