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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 15:45 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード ○矢嶋赳彬（東大）・佐俣勇佑・西村知紀・鳥海 明（JST）  SDM2019-32 |
我々は超高誘電率（比誘電率~110）を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] | SDM2019-32 pp.35-38 |
| ITE-IDY, ITE-HI, ITE-3DMT, IEE-OQD (共催) SID-JC (共催) EID (連催) [詳細] |
2018-10-25 14:45 |
東京 | 機械振興会館 | ヘッドマウントディスプレイ上におけるシーン画像の色知覚に関する一考察 ○西村和昇・平井経太・堀内隆彦（千葉大） EID2018-1 |
我々は先行研究にて，通常ディスプレイとヘッドマウントディスプレイ(HMD)における色の見えを調査するため，単色のパッチ画... [more] | EID2018-1 pp.13-16 |
| SDM | 2018-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2017-96 |
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] | SDM2017-96 pp.21-24 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2017-08-02 10:50 |
北海道 | 北海道大学情報教育館 | ［招待講演］金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路 ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2017-44 ICD2017-32 |
酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは... [more] | SDM2017-44 ICD2017-32 pp.107-108 |
| SDM | 2017-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation ○Xu Lun・Shibayama Shigehisa・Izukashi Kazutaka・Nishimura Tomonori・Yajima Takeaki（Univ. of Tokyo）・Migita Shinji（AIST）・Toriumi Akira（Univ. of Tokyo） SDM2016-137 |
[more] | SDM2016-137 pp.29-32 |
| SDM | 2017-01-30 16:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ～ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ～ ○矢嶋赳彬・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2016-138 |
モノのインターネット（IoT）においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] | SDM2016-138 pp.33-36 |
| SDM | 2014-11-07 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs: Surface Orientation and Scattering Mechanism ○ChoongHyun Lee・Tomonori Nishimura・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2014-107 |
[more] | SDM2014-107 pp.65-70 |
| SDM | 2014-06-19 15:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 ○矢嶋赳彬・二宮裕磨・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-55 |
[more] | SDM2014-55 pp.65-67 |
| SDM | 2010-06-22 14:35 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 ○喜多浩之（東大/JST）・王 盛凱・李 忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大/JST） SDM2010-43 |
[more] | SDM2010-43 pp.55-60 |
| SDM | 2009-06-19 13:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） SDM2009-32 |
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] | SDM2009-32 pp.33-38 |
| SDM | 2007-06-08 13:35 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2007-47 |
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている．HfO2/Geは600℃での... [more] | SDM2007-47 pp.85-90 |
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