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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ ○堤 卓也・杉谷末広・西村一巳・井田 実（NTT）  ED2010-189 MW2010-149 |
InP-IC において大面積を占めるキャパシタ素子の密度を向上させることは、InP-IC の小型化において大変有用である... [more] | ED2010-189 MW2010-149 pp.75-80 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 09:50 |
愛知 | 名古屋工業大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討 ○廣木正伸・西村一巳（NTT）・渡邉則之（NTT-AT）・小田康裕・小林 隆（NTT） ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 |
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として，Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた． 1x10-5&... [more] | ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31 pp.51-56 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 17:00 |
滋賀 | 立命館大学 | n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性 ○重川直輝・西村一巳・横山春喜（NTT）・宝川幸司（神奈川工科大） |
[more] | ED2005-136 CPM2005-123 LQE2005-63 pp.85-88 |
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