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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-35
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
CPM 2011-08-10
14:15
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
大谷孝史姉崎 豊浅野 翔加藤有行長岡技科大)・成田 克山形大)・中澤日出樹弘前大)・加藤孝弘・○安井寛治長岡技科大CPM2011-59
Si基板上へガスソースMBE法によりモノメチルゲルマン(MMGe)を用いてSi c(4×4)構造形成後, Ge, SiC... [more] CPM2011-59
pp.15-20
CPM 2010-10-29
10:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2010-102
pp.55-58
CPM 2009-10-29
14:25
富山 富山県立大学 低純度シリコンを用いた太陽電池の試作と評価
佐野裕紀都築 暁梅田卓司成田 克鈴木貴彦廣瀬文彦山形大CPM2009-90
金属不純物としてCu、Niを1×1013/cm3の濃度で含むSi単結晶基板を用いて、高効率太陽電池の試作を試みた。ゲッタ... [more] CPM2009-90
pp.5-7
CPM 2009-10-29
14:50
富山 富山県立大学 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成
橋本将貴鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大CPM2009-91
我々は多結晶Siに特有な粒界を横切る電荷の輸送機構を評価する為に、SiFETの製作プロセスの低温化に取り組んだ。具体的に... [more] CPM2009-91
pp.9-11
CPM 2009-10-29
15:15
富山 富山県立大学 塩化Niプラズマを用いた低温Niシリサイド形成
廣瀬文彦鹿又健作成田 克山形大CPM2009-92
 [more] CPM2009-92
pp.13-15
CPM 2009-08-10
14:40
青森 弘前大学 半導体工学教育用簡易MOSFET作製プロセス
廣瀬文彦宮城達郎成田 克山形大CPM2009-33
電界効果トランジスタ(FET)は集積回路の基本構成要素であり、大学の半導体工学教育現場においても主要な履修要素となってい... [more] CPM2009-33
pp.1-3
CPM 2009-08-10
15:05
青森 弘前大学 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
成田 克山形大)・安冨伍郎右ノ子知恵稲永征司並木 章九工大CPM2009-34
Si(100)表面からの水素分子(D$_{2}$)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Progr... [more] CPM2009-34
pp.5-8
CPM 2009-08-10
16:05
青森 弘前大学 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
三浦創史中澤日出樹西崎圭太弘前大)・末光眞希東北大)・安井寛治長岡技科大)・伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・成田 克山形大CPM2009-36
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気... [more] CPM2009-36
pp.13-18
CPM 2009-08-11
11:40
青森 弘前大学 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健永田一樹長岡技科大)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志・○安井寛治長岡技科大CPM2009-45
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] CPM2009-45
pp.61-66
ED 2009-04-24
10:15
宮城 東北大学電気通信研究所 有機ゲートを用いたSiGe/Si/SiとIGBTの試作と評価
宮城達郎井田雄介鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大ED2009-11
 [more] ED2009-11
pp.45-48
ED 2009-04-24
14:15
宮城 東北大学電気通信研究所 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化
吉田洋大始閣雅也栗林幸永鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大ED2009-17
赤外吸収分光法を用いてN719 色素の吸着サイトや吸着構造の解析を行った。N719 色素はTiO2 表面のOH 基に吸着... [more] ED2009-17
pp.73-76
CPM 2008-10-30
13:25
新潟 新潟大学 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2008-76
pp.7-12
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-28
16:00
宮城 東北大学 界面制御による色素増感太陽電池の高効率化
始閣雅也栗林幸永吉田洋大鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大EMD2008-42 CPM2008-57 OPE2008-72 LQE2008-41
色素増感太陽電池の高効率化に向けて色素吸着の原子的な制御が重要であるが、吸着状態の直接的な観察は殆どなされていない。我々... [more] EMD2008-42 CPM2008-57 OPE2008-72 LQE2008-41
pp.57-60
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-28
16:25
宮城 東北大学 SiGeアノード層を用いたファストリカバリダイオードの高速・低抵抗化
宮城達郎井田雄介鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42
電力変換回路用還流ダイオードとして使われているSi-pinダイオードのp層とi層のライフタイムを個別に制御し、順バイアス... [more] EMD2008-43 CPM2008-58 OPE2008-73 LQE2008-42
pp.61-64
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-28
16:50
宮城 東北大学 6T/TiO2接合を用いた有機無機へテロダイオードの光応答特性
高梨優樹鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大EMD2008-44 CPM2008-59 OPE2008-74 LQE2008-43
有機半導体と金属とのショットキー接合ダイオードは、低コストマイクロ波検波や光センサとして注目されている。本研究では、大気... [more] EMD2008-44 CPM2008-59 OPE2008-74 LQE2008-43
pp.65-68
CPM 2007-11-17
09:00
新潟 長岡技術科学大学 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
深田祐介安部和貴黒木雄一郎長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆東北大)・成田 克九工大)・遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2007-115
 [more] CPM2007-115
pp.55-58
SDM 2006-06-22
09:00
広島 広島大学, 学士会館 Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い ~ リアルタイム光電子分光測定から ~
末光眞希加藤 篤富樫秀晃今野篤史東北大)・寺岡有殿吉越章隆原子力機構)・成田 克九工大
Si(110)-16´2 表面の初期酸化過程をリアルタイム光電子分光法により評価し,Si(100)面酸化と比較した.Si... [more] SDM2006-52
pp.61-63
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