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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究 ○神谷俊佑・西谷高至・松田 悠・高野 望・ジョエル タクラ アスバル・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）  ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 |
窒化ガリウム(GaN)は高い破壊電界強度を持っており、シリコン(Si)に代わるパワーデバイスの材料となることが期待されて... [more] | ED2020-12 CPM2020-33 LQE2020-63 pp.45-48 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:50 |
ONLINE | オンライン開催 | Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性 ○ロー ルイ シャン・永瀬 樹・バラトフ アリ・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大）・谷田部然治・内藤健太・本山智洋・中村有水（熊本大） ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 |
近年、ミスト化学気相成長（mist-CVD）法を用いて原子層堆積法と同等の膜質を有する Al2O3アモルファス薄膜の形成... [more] | ED2020-13 CPM2020-34 LQE2020-64 pp.49-52 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 11:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 ○バラトフ アリ・小澤渉至・山下隼平・アスバル ジョエル タクラ・徳田博邦（福井大）・葛原正明（関西学院大） ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 |
小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特... [more] | ED2020-16 CPM2020-37 LQE2020-67 pp.60-62 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:10 |
京都 | 京大桂キャンパス | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討 ○鈴木雄大・山崎泰誠・牧野伸哉・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 |
本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN/GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検... [more] | ED2016-64 CPM2016-97 LQE2016-80 pp.35-39 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 16:35 |
京都 | 京大桂キャンパス | 三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制 ○鈴木敦也・ジョエル アスバル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 |
ゲート－ドレイン間にフィン状に形成された複数の溝をもつ新しいフィールドプレート(3DFP)を有するAlGaN/GaN H... [more] | ED2016-65 CPM2016-98 LQE2016-81 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス | ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性 ○樹神真太郎・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 |
原子層堆積（ALD）法によりZrO2/Al2O3積層膜を堆積させ、この膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオー... [more] | ED2013-87 CPM2013-146 LQE2013-122 pp.107-112 |
| ED | 2013-08-08 16:45 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加 ○徳田博邦・小島敏和・葛原正明（福井大） ED2013-42 |
[more] | ED2013-42 pp.25-28 |
| ED | 2012-07-26 13:30 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響 ○畑野舞子・谷口裕哉・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2012-41 |
[more] | ED2012-41 pp.1-4 |
| ED | 2012-07-26 16:15 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討 ○児玉和樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2012-47 |
[more] | ED2012-47 pp.31-35 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 13:40 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 ○畑野舞子・山崎 潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本 信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大） ED2011-135 MW2011-158 |
自立AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300度までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇... [more] | ED2011-135 MW2011-158 pp.91-95 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-17 13:45 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下 ○ハサン タンビル・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 |
[more] | ED2011-79 CPM2011-128 LQE2011-102 pp.29-33 |
| ED | 2010-06-17 14:50 |
石川 | 北陸先端大 | リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価 ○向野美郷・山田直樹・徳田博邦・葛原正明（福井大） ED2010-37 |
BCl3ガスを用いたICP方式ドライエッチングを用いてリセスゲート構造AlGaN/GaN HEMTを試作した。ICPパワ... [more] | ED2010-37 pp.21-24 |
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