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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2016-08-03 09:00 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ［招待講演］多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 ○大内真一・柳 永勛・堀 洋平・入沢寿史・更田裕司・森田行則・右田真司・森 貴洋・中川 格・塚田順一・小池汎平・昌原明植・松川 貴（産総研）  SDM2016-60 ICD2016-28 |
[more] | SDM2016-60 ICD2016-28 pp.83-87 |
| SDM | 2015-01-27 16:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善 ○松川 貴・福田浩一・柳 永勛・塚田順一・山内洋美・石川由紀・遠藤和彦・大内真一・右田真司・水林 亘・森田行則・太田裕之・昌原明植（産総研） SDM2014-145 |
[more] | SDM2014-145 pp.41-44 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2013-07-05 16:50 |
北海道 | サン・リフレ函館 | Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究 ○坂井秀男（慶大）・大内真一・遠藤和彦・松川 貴・柳 永シュン・石川由紀・塚田順一・中川 格・関川敏弘・小池帆平・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大） ICD2013-43 |
本研究では二つの独立したゲートを持つIndependent-Double-Gate- (IDG-) FinFET の1/... [more] | ICD2013-43 pp.119-124 |
| ICD | 2011-04-19 10:55 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]動的閾値パスゲートを用いた0.5V FinFET SRAM ○大内真一・遠藤和彦・柳 永シュン・松川 貴・中川 格・石川由紀・塚田順一・山内洋美・関川敏弘・小池汎平・坂本邦博・昌原明植（産総研） ICD2011-11 |
本稿では、ランダムばらつきに起因する故障ビットを救済する機能を持つFinFET SRAMについて提案する。このSRAMア... [more] | ICD2011-11 pp.59-63 |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-23 16:30 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究 ○坂井秀男（慶大）・大内真一・松川 貴・遠藤和彦・柳 永勲・塚田順一・石川由紀・中川 格・関川敏弘・小池帆平・坂本邦博・昌原明植（産総研）・石黒仁揮（慶大） ED2010-198 SDM2010-233 |
近年、FinFETがMOSFETに代わる優秀なトランジスタとして、各研究機関で研究されている。しかし、FinFETを搭載... [more] | ED2010-198 SDM2010-233 pp.37-42 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価 ○柳 永勲・遠藤和彦・大内真一（産総研）・亀井貴弘（明大）・塚田順一・山内洋美・石川由紀（産総研）・林田哲郎（明大）・坂本邦博・松川 貴（産総研）・小椋厚志（明大）・昌原明植（産総研） SDM2010-151 ICD2010-66 |
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し，結晶異方... [more] | SDM2010-151 ICD2010-66 pp.149-154 |
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