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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
10:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性
上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTSDM2015-40
Al2O3/n-Ga2O3 (010) とAl2O3/n-Ga2O3 ("2" ̅01) 構造の界面準位密度... [more] SDM2015-40
pp.11-16
ED 2014-08-01
15:50
東京 機械振興会館B3-1室 Al2O3/β-Ga2O3ヘテロ接合におけるバンドオフセット
上村崇史NICT)・佐々木公平タムラ)・黄 文海ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ)・増井建和光波)・山越茂伸タムラ)・東脇正高NICTED2014-60
Al2O3/n-Ga2O3 (010) ヘテロ接合のバンド配置をx線光電子分光法 (XPS) により調べることにより、A... [more] ED2014-60
pp.41-46
ED, MW
(共催)
2014-01-16
11:45
東京 機械振興会館 Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET
東脇正高NICT)・佐々木公平タムラ製作所/NICT)・ワン マンホイ上村崇史ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラED2013-116 MW2013-181
我々は,新たに開発したSiイオン注入技術を用いてディプレッション型Ga2O3 MOSFETを作製した.今回作製したデバイ... [more] ED2013-116 MW2013-181
pp.35-39
ED 2013-08-08
17:10
富山 富山大学工学部 大会議室 Al2O3/ n-Ga2O3 MOS ダイオード特性評価
上村崇史ワン マンホイNICT)・佐々木公平タムラ製作所)・ダイワシガマニ キルシナムルティNICT)・倉又朗人タムラ製作所)・増井建和光波)・山腰茂伸タムラ製作所)・東脇正高NICTED2013-43
 [more] ED2013-43
pp.29-32
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