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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-06-22
16:50
ONLINE オンライン開催 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
松井千尋竹内 健東大
 [more]
SDM 2021-06-22
17:10
ONLINE オンライン開催 組合せ最適化問題に向けたReRAMを用いたコンピュテーション・イン・メモリにおける量子化ビット数とエラー率の解への影響
三澤奈央子田岡健太越能俊介松井千尋竹内 健東大
 [more]
HWS, VLD
(共催) [詳細]
2020-03-05
15:20
沖縄 沖縄県青年会館
(開催中止,技報発行あり)
[記念講演]Workload-aware Data-eviction Self-adjusting System of Multi-SCM Storage to Resolve Trade-off between SCM Data-retention Error and Storage System Performance
Reika KinoshitaChihiro MatsuiAtsuya SuzukiShouhei FukuyamaKen TakeuchiChuo Univ.VLD2019-119 HWS2019-92
 [more] VLD2019-119 HWS2019-92
pp.145-150
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 3次元NAND型フラッシュメモリにおけるニューラルネットワークを用いた寿命予測と高信頼化手法
阿部真輝竹内 健中大ICD2019-30 IE2019-36
NAND型フラッシュメモリには、データを保持できる時間や読み出し回数といったメモリの寿命が存在する。そこで、ニューラルネ... [more] ICD2019-30 IE2019-36
pp.7-12
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
14:40
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 強誘電体トランジスタを用いた並列積和演算可能なニューロモルフィック集積回路
上村公紀能美 奨竹内 健中大ICD2019-31 IE2019-37
近年、半導体の性能向上を支えてきたムーアの法則が限界を迎えつつある。そのため、従来のノイマン型コンピューティングからニュ... [more] ICD2019-31 IE2019-37
pp.13-17
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
15:45
愛媛 愛媛県男女共同参画センター QLC NAND型フラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDにおける最適な不揮発性メモリ構成の設計
高井良貴福地 守松井千尋木下怜佳竹内 健中大ICD2019-41 IE2019-47
NAND型フラッシュメモリはセルあたりのビット数を増加させることにより,容量密度を大きくし,ビットコストを低減させてきた... [more] ICD2019-41 IE2019-47
pp.59-63
PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2019-01-17
11:40
大阪 大阪大学中之島センター フォトニック結晶CirDレーザに向けた深掘ドライエッチングに関する研究
曽 理溝口 舜張 秀宇竹内健斗梶井博武森藤正人丸田章博近藤正彦阪大PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53
本研究では円形共振器(CirD)フォトニック結晶レーザを作製するために,レジストマスクを用いてInAs量子ドットを含むG... [more] PN2018-35 EMT2018-69 OPE2018-144 LQE2018-154 EST2018-82 MWP2018-53
pp.23-26
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
13:45
広島 サテライトキャンパスひろしま SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法
松井千尋竹内 健中大CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
ストレージクラスメモリ(SCM)をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで,ハイブリッドストレー... [more] CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73
pp.29-30
ICD 2018-04-19
10:10
東京 機械振興会館 3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法
鈴木 峻出口慶明中村俊貴溝口恭史竹内 健中大ICD2018-1
NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法として Asymmetric Coding(AC)が提案されている.本研究で... [more] ICD2018-1
pp.1-6
ICD 2018-04-19
10:35
東京 機械振興会館 ヘテロジニアスストレージにおけるアプリケーションに応じた不揮発性メモリ構成の最適化
松井千尋竹内 健中大ICD2018-2
データセンターストレージでは特性の異なるストレージアプリケーションに適切な半導体不揮発性メモリを組み合わせることが必要で... [more] ICD2018-2
pp.7-10
ICD 2018-04-19
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]データの価値判断に基づいた高信頼SSDシステム
竹内 健中大ICD2018-3
 [more] ICD2018-3
p.11
SDM 2018-01-30
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術
溝口恭史小滝翔平出口慶明竹内 健中大SDM2017-93
Near Data Computingでは, アプリケーションの一部を高速に処理するためにSSDコントローラー内に多くの... [more] SDM2017-93
pp.9-12
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-07
13:50
熊本 くまもと県民交流館パレア NAND型フラッシュメモリとReRAMで構成されるハイブリッドSSD向け低電力動作可能な昇圧回路
鈴木健太鶴見洸太竹内 健中大CPM2017-82 ICD2017-41 IE2017-67
 [more] CPM2017-82 ICD2017-41 IE2017-67
pp.15-20
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
13:10
石川 山代温泉葉渡莉 二波長同時光パラメトリック増幅によるCEP安定な高強度中赤外パルス光の発生,及びそれを用いた固体中の強電場過程の研究
金島圭佑北大)・石井順久竹内健悟板谷治郎東大LQE2017-15
 [more] LQE2017-15
pp.61-62
ICD 2017-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大ICD2017-5
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] ICD2017-5
pp.23-28
ICD 2017-04-20
14:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術
中村俊貴小林惇朗竹内 健中大ICD2017-6
クラウドデータセンタでは、読み出しが頻繁に行われるホットデータからほとんど読み出しが行われないコールドデータまで、様々な... [more] ICD2017-6
pp.29-34
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み条件の最適化
早川敦奈前田一輝竹内 健中大ICD2016-65 CPSY2016-71
 [more] ICD2016-65 CPSY2016-71
p.49
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]NAND型フラッシュメモリに生じる読み出しディスターブエラーの解析
渡邉 光小林惇朗竹内 健中大ICD2016-66 CPSY2016-72
近年、クラウド技術やSNSの普及により、データが局所的に読み出されるアプリケーションが増加している。ソリッド・ステート・... [more] ICD2016-66 CPSY2016-72
p.51
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化
鈴木健太田中誠大鶴見洸太竹内 健中大ICD2016-67 CPSY2016-73
次世代不揮発性メモリとして低消費電力,高速動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMは印加する... [more] ICD2016-67 CPSY2016-73
p.53
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]ストレージ・クラス・メモリで構成したSSDの信頼性を考慮した性能の評価
安達 優瀧下博文竹内 健中大ICD2016-68 CPSY2016-74
ストレージ・クラス・メモリ(SCM)はNAND型フラッシュメモリよりも高速な不揮発性メモリである.将来的にストレージとし... [more] ICD2016-68 CPSY2016-74
p.55
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