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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2021-05-27 15:40 |
ONLINE | オンライン開催 | 単層Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性 ○瘧師貴幸・浅井佑基・卞 範模・天野郁馬・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大）  ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17 |
単電子デバイス(Single-Electron Device: SED)は超低消費電力・高機能性を有するナノデバイスであ... [more] | ED2021-6 CPM2021-6 SDM2021-17 pp.23-26 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2020-05-29 16:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 （開催中止，技報発行なし） |
Feナノドットアレイを用いて作製した単電子デバイスの電気特性 ○瘧師貴幸・浅井佑基・卞 範模・天野郁馬・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大） |
[more] | |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2019-05-16 16:15 |
静岡 | 静岡大学（浜松） | CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価 ○李 遠霖・福地 厚・有田正志（北大）・森江 隆（九工大）・高橋庸夫（北大） ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 |
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は，人工シナプスを実現可能... [more] | ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14 pp.29-34 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 13:55 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 非相反メタマテリアルからなる擬似進行波共振アンテナのビームスクイント低減 ○金田拓海・上田哲也・久保雄暉（京都工繊大）・原 誠・高橋康夫（川崎重工）・伊藤龍男（カリフォルニア大ロサンゼルス校） PN2018-62 EMT2018-96 OPE2018-171 LQE2018-181 EST2018-109 MWP2018-80 |
フェライトの磁気共鳴周波数より下側の帯域においてほぼ広帯域に亘り周波数分散のない非相反性を有する右手/左手系複合(CRL... [more] | PN2018-62 EMT2018-96 OPE2018-171 LQE2018-181 EST2018-109 MWP2018-80 pp.175-178 |
| ED, SDM (共催) |
2018-02-28 10:00 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性 ○浅井佑基・本庄周作・瘧師貴幸・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2017-104 SDM2017-104 |
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は，低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] | ED2017-104 SDM2017-104 pp.1-6 |
| MW, EMCJ, EST (共催) IEE-EMC (連催) [詳細] |
2017-10-19 16:00 |
秋田 | あきた芸術村 温泉ゆぽぽ バンケットホール紫苑 | Vibrating Intrinsic Reverberation Chamberの諸特性 ○原 誠・高橋康夫（川崎重工）・Robert Vogt-Ardatjew・Frank Leferink（Univ. of Twente） EMCJ2017-39 MW2017-91 EST2017-54 |
ランダムな電磁界分布を発生させる反射箱の一形態であるVIRCを試作し、その諸特性(電界均一性、電界分布等)について評価し... [more] | EMCJ2017-39 MW2017-91 EST2017-54 pp.73-77 |
| ICD | 2016-04-14 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大） ICD2016-5 |
抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼... [more] | ICD2016-5 pp.21-26 |
| MBE, NC (併催) |
2016-03-22 11:00 |
東京 | 玉川大学 | Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価 ○富崎和正・森江 隆・安藤秀幸（九工大）・福地 厚・有田正志・高橋庸夫（北大） NC2015-70 |
ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い，高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア（集積回路）が... [more] | NC2015-70 pp.7-12 |
| SDM, ED (共催) |
2015-02-05 15:05 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性 ○吉岡 勇・佐藤 光・内田貴史・福地 厚・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2014-141 SDM2014-150 |
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] | ED2014-141 SDM2014-150 pp.17-22 |
| ED, SDM (共催) |
2014-02-28 11:40 |
北海道 | 北海道大学百年記念会館 | Cu/MoOx抵抗変化メモリのスイッチ動作における導電フィラメントの直接観察 ○大野裕輝・廣井孝弘・工藤昌輝・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2013-148 SDM2013-163 |
固体電解質を用いたタイプの抵抗変化メモリ(ReRAM)では，固体電解質中の金属イオンの移動による伝導パス形成/破壊が動作... [more] | ED2013-148 SDM2013-163 pp.89-94 |
| SDM, ED (共催) |
2013-02-28 09:25 |
北海道 | 北海道大学（百年記念会館） | 二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価 ○内田貴史・竹中浩人・吉岡 勇・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2012-138 SDM2012-167 |
二重量子ドット単電子トランジスタ(DQD SET)は量子情報処理デバイスへの応用が期待され、この応用上、量子ドット(QD... [more] | ED2012-138 SDM2012-167 pp.53-58 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-07 15:15 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性 ○竹中浩人・篠原迪人・内田貴史・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2011-145 SDM2011-162 |
単電子トランジスタ（SET）は、低消費電力で動作するデバイスとして知られているが、その高速動作性に関しては、十分調べられ... [more] | ED2011-145 SDM2011-162 pp.19-24 |
| ED, SDM (共催) |
2012-02-08 10:20 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | MgF_(2)/Feナノドット/MgF_(2)薄膜における電気伝導特性 ○石川琢磨・佐藤栄太・浜田弘一・有田正志・高橋庸夫（北大） ED2011-152 SDM2011-169 |
表面清浄化に注意して準備したSiO2/Si基板上に，室温の交互蒸着法によりMgF2/Feナノドット/MgF2グラニュラー... [more] | ED2011-152 SDM2011-169 pp.59-64 |
| CS, IE (共催) IPSJ-AVM, ITE-BCT (共催) (連催) [詳細] |
2011-12-16 11:15 |
愛知 | 名古屋大学 | ISDB-T技術を用いた諸外国における地上波デジタル放送の早期普及に関する一提案 ～ 非電化地域における放送インフラの容易な構築 ～ ○高橋泰雄（YTC企画） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) |
2011-02-24 10:45 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | Si単電子トランジスタにおける光照射による単一キャリアトラップ生成と電気伝導特性 ○篠原迪人・加藤勇樹・三上 圭・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2010-203 SDM2010-238 |
強い縦方向電界を印加した単電子トランジスタ(SET)では、光照射により単電子島で単一電子・正孔対が生成・消滅することで電... [more] | ED2010-203 SDM2010-238 pp.63-66 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 09:25 |
北海道 | 北海道大学 | Si細線に作製したダブルドット単電子トランジスタの特性 ○曹 民圭・開澤拓弥・有田正志（北大）・藤原 聡（NTT）・高橋庸夫（北大） ED2008-233 SDM2008-225 |
SOI基板上に作成したシリコン細線を酸化することによりパターン依存酸化現象が生じ、簡単に単電子トランジスタを作成できるこ... [more] | ED2008-233 SDM2008-225 pp.53-58 |
| SDM, ED (共催) |
2009-02-27 10:55 |
北海道 | 北海道大学 | 磁束と電荷を結ぶ新しい機能デバイスの開拓 ○雨宮好仁・高橋庸夫（北大） ED2008-236 SDM2008-228 |
[more] | ED2008-236 SDM2008-228 pp.69-74 |
| EMCJ | 2009-01-23 16:50 |
福岡 | 九州工業大学 | FDTD法を用いたライトニング・ストリップの雷撃保護範囲の評価 ○川畑将人（福岡県工技センター）・徳永泰佑・三好将文・高橋康夫（川崎重工） EMCJ2008-113 |
屋外で使用するアンテナを風雨，砂塵等から保護するレドームには，雷撃からアンテナ等を保護するライトニング・ストリップの装備... [more] | EMCJ2008-113 pp.65-70 |
| ED, SDM (共催) |
2008-01-31 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算機動作 ○開澤拓弥・曹 民圭・有田正志（北大）・藤原 聡・山崎謙治・小野行徳（NTT）・猪川 洋（静岡大）・高橋庸夫（北大） ED2007-250 SDM2007-261 |
[more] | ED2007-250 SDM2007-261 pp.69-73 |
| EMD | 2007-12-21 13:55 |
東京 | 日本航空電子工業株式会社 | ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 ～ 接触抵抗の変化 ～ ○和田真一・園田健人・天尾裕士・越田圭治・高橋康夫・菊地光男・久保田洋彰（TMCシステム）・澤 孝一郎・古賀 圭・西岡 亮（慶大） EMD2007-102 |
電気接点に実用的振動を与えうる加振機構を開発し，微小振動が接触抵抗に与える影響を考察できる可能性を検討した．本機構では，... [more] | EMD2007-102 pp.11-16 |
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