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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ET 2023-12-16
13:15
岡山 岡山大学 津島キャンパス 授業中の学生の表情・動作の認識 ~ 生成画像と正面化による認識の効果について ~
大関和夫塩尻(斎藤) 亜希上條浩一鈴木雅実東京国際工科専門職大ET2023-39
カメラと脳波計を用い,学生の集中度を向上させるための教師の行動を特定する研究を行っている.このうち,カメラから表情や動作... [more] ET2023-39
pp.19-23
TL 2019-12-22
09:05
愛媛 愛媛大学 〒790‐8577 松山市文京町3番 −1 英語俳句の作成を通じた授業への連想支援の可能性について
鈴木雅実KDDI総合研究所TL2019-43
 [more] TL2019-43
pp.1-5
TL 2018-12-09
10:30
愛媛 愛媛大学 校友会館2Fサロン 異文化間交流と言語学習支援について ~ 言語文化固有の表現の理解促進へ ~
鈴木雅実KDDI総合研究所TL2018-44
異なる言語間の話者同士のコミュニケーションを助ける自動通訳(音声翻訳)システムが実用化段階に入って来ているが,文化や習慣... [more] TL2018-44
pp.1-6
TL 2015-02-27
15:20
京都 京都光華女子大(西京極) 第二言語におけるコンサイス表現の学習支援について
鈴木雅実木村寛明KDDI研TL2014-52
 [more] TL2014-52
pp.13-17
ET 2014-03-08
17:30
高知 高知工業高等専門学校 携帯俳句のアプリケーションの開発と文科系学生による評価
高田伸彦吉田一誠金学院大)・鈴木雅実KDDI研)・柳澤良一金学院大ET2013-135
近年、日本で独自に発展していたフィーチャーフォンに代わってスマートフォンは、携帯電話で世の中の主流になりつつある.その中... [more] ET2013-135
pp.243-248
ET 2011-11-04
10:30
沖縄 琉球大学 俳句作成支援における季語の推薦について ~ 写真に基づく俳句コミュニケーション ~
鈴木雅実服部 元小野智弘KDDI研)・高田伸彦金沢学院大)・皆川直凡鳴門教大ET2011-56
本稿では,俳句に親しむ初心者が野外などで実際に詠もうとする際に,その場の状況に適した季語を携帯端末を通じ推薦するための方... [more] ET2011-56
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
10:20
北海道 北見工業大学 [特別招待講演]32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化
小山正人小池正浩上牟田雄一鈴木正道辰村光介土屋義規市原玲華後藤正和長友浩二東 篤志川中 繁中嶋一明関根克行東芝SDM2007-159 ICD2007-87
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] SDM2007-159 ICD2007-87
pp.101-106
SDM 2007-06-08
10:55
広島 広島大学(学士会館) LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
高島 章西川幸江清水達雄鈴木正道松下大介吉木昌彦富田充裕山口 豪小山正人福島 伸東芝SDM2007-43
high-k絶縁膜/Si基板界面における技術的課題である界面準位密度の低減について、我々の最近の研究成果を報告する。具体... [more] SDM2007-43
pp.65-70
SDM 2007-06-08
12:45
広島 広島大学(学士会館) 熱処理雰囲気に依存したLaAlO3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価
鈴木正道土屋義規小山正人東芝SDM2007-45
High-kゲート絶縁膜LaAlO3上の様々なメタルの実効仕事関数(Φeff)を系統的に評価し、その振る舞いをHfSiO... [more] SDM2007-45
pp.75-80
AP, SAT
(併催)
2006-05-19
13:00
鹿児島 鹿児島大学 小型指向性制御アンテナの試作検討
藤枝智之谷島 潔鈴木雅美パイオニアAP2006-24
近接無給電素子の考え方を用いて径方向の小型化を行い,非励振素子にリアクタンス素子を装荷し,その素子値を適切な値にすること... [more] AP2006-24
pp.87-91
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
10:00
北海道 函館国際ホテル [特別招待講演]HfSiON ~ その高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題 ~
西山 彰小山正人上牟田雄一小池正浩飯島良介山口 豪鈴木正道井野恒洋小野瑞城東芝
MOS Trのスケーリングのためゲート絶縁膜の極薄膜化は必須となっているが、量子力学的トンネル電流の増加はSiONに代わ... [more] SDM2005-146 ICD2005-85
pp.19-24
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