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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MWP 2020-05-28
13:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Beyond 5G応用を見据えたサブミリ波帯InP-HEMT-IC技術
堤 卓也杉山弘樹濱田裕史野坂秀之松崎英昭NTTMWP2020-1
あらまし第5 世代無線アクセスネットワークシステム(5G)の次世代となるBeyond 5G 実現に向けた議論が早くも進展... [more] MWP2020-1
pp.1-6
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
RECONF, VLD, CPSY
(共催)
(連催) [詳細]
2019-01-31
10:20
神奈川 慶応義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 Android OS向けMPI実行環境における並列処理性能の初期評価
新里将大杉山裕紀大津金光大川 猛横田隆史宇都宮大VLD2018-84 CPSY2018-94 RECONF2018-58
 [more] VLD2018-84 CPSY2018-94 RECONF2018-58
pp.71-76
MW, ED
(共催)
2019-01-18
13:00
東京 日立中研 [依頼講演]光通信・無線通信向け超高速IC技術
野坂秀之長谷宗彦濱田裕史徐 照男脇田 斉堤 卓也杉山弘樹武藤美和井田 実松崎秀昭NTTED2018-84 MW2018-151
 [more] ED2018-84 MW2018-151
pp.79-84
AP, MW
(併催)
2018-09-20
14:55
東京 東京工業大学 InP-HEMTによる300 GHz帯 100 Gb/sトランシーバ
濱田裕史NTT)・藤村拓弥アブド イブラヒム岡田健一東工大)・堤 卓也ソン ホジン杉山弘樹松崎秀昭野坂秀之NTTMW2018-60
5Gの次世代技術として,データレート100 Gb/sを実現するような無線システムの研究が進められている.ミリ波・THz帯... [more] MW2018-60
pp.7-12
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
DC
(併催) [詳細]
2018-07-30
09:30
熊本 熊本市国際交流会館 無線接続型AndroidクラスタにおけるMPI並列プログラムの性能評価
杉山裕紀大津金光大川 猛横田隆史宇都宮大CPSY2018-13
近年,スマートフォンやタブレットに代表されるモバイル端末の多くはマルチコアプロセッサやGPUを搭
載するなど,高性能化... [more]
CPSY2018-13
pp.1-6
LQE 2018-07-12
13:55
北海道 北海道大学 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減
中尾 亮佐藤具就杉山弘樹松尾慎治NTTLQE2018-22
 [more] LQE2018-22
pp.9-12
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2017-12-14
13:40
沖縄 アートホテル石垣島 AndroidクラスタにおけるOpen MPI並列処理の性能評価
杉山裕紀新里将大重信晃太大津金光横田隆史大川 猛宇都宮大CAS2017-72 ICD2017-60 CPSY2017-69
近年,スマートフォンやタブレットに代表されるモバイル端末の多くはマルチコアプロセッサやGPUを搭載しており,高性能化が進... [more] CAS2017-72 ICD2017-60 CPSY2017-69
pp.45-50
ED 2016-12-19
14:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
Amine El MoutaouakilHiroki SugiyamaHideaki MatsuzakiNTTED2016-80
 [more] ED2016-80
pp.1-5
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
2016-10-06
10:00
千葉 幕張メッセ [ポスター講演]Androidクラスタにおける動的構成変更に伴うタスク再配置と通信の効率化
澤田祐樹重信晃太杉山裕紀大津金光横田隆史大川 猛宇都宮大CPSY2016-50
我々の研究室では新たな並列分散処理プラットフォームとして,Android OSを搭載したタブレット端末やRaspberr... [more] CPSY2016-50
p.35
ED 2014-12-22
14:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング
川崎鉄哉吉田智洋菅原健太Adrian Dobroiu渡辺隆之杉山弘樹若生洋由希東北大)・可児淳一寺田 純桑野 茂NTT)・吾郷浩樹河原憲治九大)・岩月勝美末光哲也尾辻泰一東北大ED2014-100
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5~37.5... [more] ED2014-100
pp.9-13
ED, MW
(共催)
2014-01-17
13:30
東京 機械振興会館 F帯全帯域動作MMICミキサの設計法
濱田裕史小杉敏彦松崎秀昭杉山弘樹野坂秀之NTTED2013-129 MW2013-194
F帯フルカバースペクトル分析器応用に向けた,MMICミキサの設計・試作結果について報告する.今回,InP-HEMTを用い... [more] ED2013-129 MW2013-194
pp.109-113
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:35
東京 機械振興会館 MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
星 拓也杉山弘樹横山春喜栗島賢二井田 実NTTED2011-130 MW2011-153
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] ED2011-130 MW2011-153
pp.63-68
ED 2011-12-14
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ ~ 小型パッシブイメージングシステムへ向けて ~
小杉敏彦杉山弘樹松崎秀昭村田浩一NTTED2011-105
 [more] ED2011-105
pp.31-34
ED 2010-12-16
14:10
宮城 東北大学 電気通信研究所 グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮
寺西豊志鈴木左文静野 薫浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2010-159
InP基板上のGaInAs/AlAs二重障壁の共鳴トンネルダイオードを用いたテラヘルツ発振器において,グレーデッドエミッ... [more] ED2010-159
pp.7-12
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
16:10
東京 東工大 大岡山キャンパス Fundamental oscillations at ~900 GHz with low bias voltages in RTDs having spike-doped structures
Safumi SuzukiKiyohito SawadaAtsushi TeranishiMasahiro AsadaTokyo Inst. of Tech.)・Hiroki SugiyamaHaruki YokoyamaNTTED2010-61 SDM2010-62
 [more] ED2010-61 SDM2010-62
pp.47-48
ED 2009-11-30
09:00
大阪 大阪科学技術センター スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器
澤田清仁鈴木左文寺西豊志白石誠人浅田雅洋東工大)・杉山弘樹横山春喜NTTED2009-166
スパイクドーピングを入れることによって,動作電圧を低減した共鳴トンネルダイオードにおいて約900GHzの基本波発振が得ら... [more] ED2009-166
pp.37-40
ED 2007-06-15
16:15
富山 富山大学 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード
杉山弘樹松崎秀昭小田康裕横山春喜榎木孝知小林 隆NTTED2007-38
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製... [more] ED2007-38
pp.39-43
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