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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2021-03-26
14:40
ONLINE オンライン開催 不揮発性素子を用いたノンストッププロセッサ
中別府将太杉山尚央山﨑信行慶大)・鈴木健太平賀啓三神田泰夫ソニーセミコンダクタソリューションズCPSY2020-66 DC2020-96
特定の機能を満たすために機器に組み込まれるコンピュータシステムを組込みシステムという.組込みシ
ステムの例としてウェア... [more]
CPSY2020-66 DC2020-96
pp.97-102
DC, CPSY
(連催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2020-10-12
10:15
ONLINE オンライン開催 Trace Bufferを用いたEmbedded Non-stop OSにおけるリプレイオーバヘッドの削減
杉山尚央中別府将太山﨑信行慶大CPSY2020-17 DC2020-17
機器等に組込まれて処理を行う組込みシステムでは,様々なトラブルに対処する必要がある.中でも瞬電等の電源トラブルでは,揮発... [more] CPSY2020-17 DC2020-17
pp.1-6
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-02-28
14:00
鹿児島 与論町中央公民館 SMT Processorにおけるリアルタイム処理用CPU資源予約機構
山藤篤志高橋真彦杉山尚央井出陽介山﨑信行慶大CPSY2019-114 DC2019-120
 [more] CPSY2019-114 DC2019-120
pp.189-194
US 2013-11-11
14:00
石川 金沢工業大学 浮遊細胞におけるレーザ誘起創発的応力波による遺伝子導入の実験的検討
小木美恵子杉山尚玖・○柳澤隆康西村 駿會澤康治得永嘉昭金沢工大US2013-55
LIESW(Laser-induced emergent stress wave:レーザ誘起創発的応力波)による遺伝子導... [more] US2013-55
pp.11-14
ICD 2008-04-18
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2008-11
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] ICD2008-11
pp.57-62
SDM 2008-03-14
13:05
東京 機械振興会館 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝SDM2007-273
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] SDM2007-273
pp.1-6
ICD 2007-04-13
14:20
大分 大分県・湯布院・七色の風 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2007-16
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言いま... [more] ICD2007-16
pp.89-93
ICD 2006-04-14
14:20
大分 大分大学 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
 [more] ICD2006-19
pp.103-107
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