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電磁界理論技術委員会 (IEE-EMT)
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次世代産業システム (IEE-IIS)
情報システム研究会 (IEE-IS)
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マグネティックス研究会 (IEE-MAG)
医用・生体工学技術委員会 (IEE-MBE)
マイクロマシン・センサシステム研究会 (IEE-MSS)
光・量子デバイス技術委員会 (IEE-OQD)
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研究会
発表日時
開催地
タイトル・著者
抄録
資料番号
ICD
2024-04-11
10:45
神奈川
川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]SRAMエントロピー源とSPN構造により100ビット出力空間とモデリング攻撃耐性を両立したストロングPUF
○
劉 昆洋
(
京大
)・
唐 芸琛
(
レノボ
)・
徐 舒帆
・
新津葵一
(
京大
)・
篠原尋史
(
早大
)
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます)
[more]
ICD
2023-04-10
16:05
神奈川
川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]SRAMウィークPUFに基づいた秘密置換を利用したエッジデバイスセキュリティ向けストロングPUF
○
劉 昆洋
・
篠原尋史
(
早大
)
ICD2023-7
[more]
ICD2023-7
p.15
SDM
,
ICD
(共催)
ITE-IST
(連催)
[詳細]
2021-08-18
14:50
ONLINE
オンライン開催
[招待講演]情報セキュリティのためのラッチ形静的および動的乱数発生回路
○
篠原尋史
・
劉 昆洋
・
張 瑞琳
・
王 興宇
(
早大
)
SDM2021-42 ICD2021-13
自然現象を利用した乱数発生回路には、静的乱数を生成するPUF (Physical Unclonable Function...
[more]
SDM2021-42
ICD2021-13
pp.64-67
ICD
2018-04-20
13:00
東京
機械振興会館
[招待講演]情報セキュリティのためのランダム回路
○
篠原尋史
(
早大
)
ICD2018-11
[more]
ICD2018-11
p.45
SDM
,
ICD
(共催)
ITE-IST
(連催)
[詳細]
2017-08-01
09:45
北海道
北海道大学情報教育館
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
○
水谷朋子
・
竹内 潔
・
更屋拓哉
(
東大
)・
篠原尋史
(
早大
)・
小林正治
・
平本俊郎
(
東大
)
SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに...
[more]
SDM2017-38
ICD2017-26
pp.49-54
ICD
,
SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道
北海道大学 情報教育館(札幌市)
[招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
○
Koichiro Ishibashi
(
UEC
)・
Nobuyuki Sugii
(
LEAP
)・
Kimiyoshi Usami
(
SIT
)・
Hideharu Amano
(
KU
)・
Kazutoshi Kobayashi
(
KIT
)・
Cong-Kha Pham
(
UEC
)・
Hideki Makiyama
・
Yoshiki Yamamoto
・
Hirofumi Shinohara
・
Toshiaki Iwamatsu
・
Yasuo Yamaguchi
・
Hidekazu Oda
・
Takumi Hasegawa
・
Shinobu Okanishi
・
Hiroshi Yanagita
(
LEAP
)
SDM2014-62 ICD2014-31
[more]
SDM2014-62
ICD2014-31
pp.1-4
SDM
,
ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川
金沢大学 角間キャンパス
完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
○
水谷朋子
(
東大
)・
山本芳樹
・
槇山秀樹
・
篠原博文
・
岩松俊明
・
尾田秀一
・
杉井信之
(
超低電圧デバイス技研組合
)・
平本俊郎
(
東大
)
SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評...
[more]
SDM2013-75
ICD2013-57
pp.47-52
ICD
2013-04-12
14:45
茨城
産業技術総合研究所 つくばセンター
[依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
○
森脇真一
・
山本安衛
・
鈴 木 利 一
(
半導体理工学研究センター
)・
川澄 篤
(
東芝
)・
宮野信治
・
篠原尋史
(
半導体理工学研究センター
)・
桜井貴康
(
東大
)
ICD2013-20
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した...
[more]
ICD2013-20
pp.103-108
ICD
,
SDM
(共催)
2012-08-02
11:25
北海道
札幌市男女共同参画センター
[招待講演]0.5V動作低エネルギー回路と応用
○
篠原尋史
(
半導体理工学研究センター
)
SDM2012-67 ICD2012-35
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい...
[more]
SDM2012-67
ICD2012-35
pp.23-28
ICD
,
SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道
札幌市男女共同参画センター
[依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
○
杉井信之
・
岩松俊明
・
山本芳樹
・
槇山秀樹
・
角村貴昭
・
篠原博文
・
青野英樹
・
尾田秀一
・
蒲原史朗
・
山口泰男
(
超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス
)・
水谷朋子
・
平本俊郎
(
東大
)
SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば...
[more]
SDM2012-68
ICD2012-36
pp.29-32
SDM
,
ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄
沖縄県青年会館
[招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
○
杉井信之
・
岩松俊明
・
山本芳樹
・
槇山秀樹
・
角村貴昭
・
篠原博文
・
青野英樹
・
尾田秀一
・
蒲原史朗
・
山口泰男
(
超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス
)・
水谷朋子
・
平本俊郎
(
東大
)
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ...
[more]
SDM
,
ICD
(共催)
2011-08-26
12:55
富山
富山県民会館
[招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術
○
高宮 真
・
石田光一
・
更田裕司
(
東大
)・
野村昌弘
・
篠原尋史
(
半導体理工学研究センター
)・
桜井貴康
(
東大
)
SDM2011-88 ICD2011-56
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(...
[more]
SDM2011-88
ICD2011-56
pp.87-92
SDM
,
ICD
(共催)
2011-08-26
16:30
富山
富山県民会館
低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証
○
更田裕司
(
東大
)・
平入孝二
(
半導体理工学研究センター
)・
安福 正
・
高宮 真
(
東大
)・
野村昌弘
・
篠原尋史
(
半導体理工学研究センター
)・
桜井貴康
(
東大
)
SDM2011-95 ICD2011-63
[more]
SDM2011-95
ICD2011-63
pp.127-132
ICD
2011-04-19
11:20
兵庫
神戸大学 瀧川記念館
[依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
○
鈴木利一
・
森脇真一
・
川澄 篤
・
宮野信治
・
篠原尋史
(
半導体理工学研究センター
)
ICD2011-12
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の...
[more]
ICD2011-12
pp.65-70
ICD
2010-04-22
10:50
神奈川
湘南工大
[依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
○
薮内 誠
・
新居浩二
・
塚本康正
・
中瀬泰伸
・
篠原尋史
(
ルネサス エレクトロニクス
)
ICD2010-3
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること...
[more]
ICD2010-3
pp.13-16
SDM
[詳細]
2008-11-14
13:50
東京
機械振興会館
[招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
○
新居浩二
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)
SDM2008-178
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ...
[more]
SDM2008-178
pp.55-60
ICD
,
SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京
機械振興会館
プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
○
薮内 誠
・
新居浩二
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
今岡 進
(
ルネサステクノロジ
)・
山上由展
・
石倉 聡
・
寺野登志夫
・
里見勝治
・
赤松寛範
(
松下電器
)・
篠原尋文
(
ルネサステクノロジ
)
SDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス...
[more]
SDM2008-131
ICD2008-41
pp.17-22
ICD
,
SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道
北見工業大学
同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
○
石倉 聡
・
車田総希
・
寺野登志夫
・
山上由展
・
粉谷直樹
・
里見勝治
(
松下電器
)・
新居浩二
・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
大芦敏行
・
牧野博之
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)・
赤松寛範
(
松下電器
)
SDM2007-168 ICD2007-96
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。...
[more]
SDM2007-168
ICD2007-96
pp.145-148
ICD
2007-04-13
09:40
大分
大分県・湯布院・七色の風
[招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
○
Shigeki Ohbayashi
・
Makoto Yabuuchi
・
Kazushi Kono
(
Renesas Technology
)・
Yuji Oda
(
Shikino High-Tech
)・
Susumu Imaoka
(
Renesas Design
)・
Keiichi Usui
(
Daioh Electric
)・
Toshiaki Yonezu
・
Takeshi Iwamoto
・
Koji Nii
・
Yasumasa Tsukamoto
・
Masashi Arakawa
・
Takahiro Uchida
・
Hiroshi Makino
・
Koichiro Ishibashi
・
Hirofumi Shinohara
(
Renesas Technology
)
ICD2007-11
[more]
ICD2007-11
pp.59-64
ICD
,
SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道
北海道大学
超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
○
今岡 進
(
ルネサスデザイン
)・
新居浩二
(
ルネサステクノロジ
)・
増田康浩
(
ルネサスデザイン
)・
薮内 誠
・
塚本康正
・
大林茂樹
・
五十嵐元繁
・
冨田和朗
・
坪井信生
・
牧野博之
・
石橋孝一郎
・
篠原尋史
(
ルネサステクノロジ
)
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ...
[more]
SDM2006-148
ICD2006-102
pp.133-136
22件中 1~20件目
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