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講演検索結果
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 22件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2024-04-11
10:45
神奈川 川崎市産業振興会館 9階第2研修室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]SRAMエントロピー源とSPN構造により100ビット出力空間とモデリング攻撃耐性を両立したストロングPUF
劉 昆洋京大)・唐 芸琛レノボ)・徐 舒帆新津葵一京大)・篠原尋史早大
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
ICD 2023-04-10
16:05
神奈川 川崎市産業振興会館10階第4会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[依頼講演]SRAMウィークPUFに基づいた秘密置換を利用したエッジデバイスセキュリティ向けストロングPUF
劉 昆洋篠原尋史早大ICD2023-7
 [more] ICD2023-7
p.15
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
14:50
ONLINE オンライン開催 [招待講演]情報セキュリティのためのラッチ形静的および動的乱数発生回路
篠原尋史劉 昆洋張 瑞琳王 興宇早大SDM2021-42 ICD2021-13
自然現象を利用した乱数発生回路には、静的乱数を生成するPUF (Physical Unclonable Function... [more] SDM2021-42 ICD2021-13
pp.64-67
ICD 2018-04-20
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]情報セキュリティのためのランダム回路
篠原尋史早大ICD2018-11
 [more] ICD2018-11
p.45
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減
水谷朋子東大)・山本芳樹槇山秀樹篠原博文岩松俊明尾田秀一杉井信之超低電圧デバイス技研組合)・平本俊郎東大SDM2013-75 ICD2013-57
65nm技術で作製した完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルのセル電流ばらつきを評... [more] SDM2013-75 ICD2013-57
pp.47-52
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大ICD2013-20
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
11:25
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]0.5V動作低エネルギー回路と応用
篠原尋史半導体理工学研究センターSDM2012-67 ICD2012-35
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] SDM2012-67 ICD2012-35
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
13:00
北海道 札幌市男女共同参画センター [依頼講演]超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大SDM2012-68 ICD2012-36
CMOSの超低電力化への要求は相変わらず大きい.消費電力効率を出来るだけ高めた超低電圧動作CMOSデバイスが実現できれば... [more] SDM2012-68 ICD2012-36
pp.29-32
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]超低電力応用に向けた薄膜BOX-SOI (SOTB) CMOS技術
杉井信之岩松俊明山本芳樹槇山秀樹角村貴昭篠原博文青野英樹尾田秀一蒲原史朗山口泰男超低電圧デバイス技研組合/ルネサス エレクトロニクス)・水谷朋子平本俊郎東大
低電力CMOSデバイスへの要求は今でも高い。消費電力効率の高い超低電圧動作CMOSが実現すると、ユビキタスセンサネットワ... [more]
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
12:55
富山 富山県民会館 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術
高宮 真石田光一更田裕司東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大SDM2011-88 ICD2011-56
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] SDM2011-88 ICD2011-56
pp.87-92
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
16:30
富山 富山県民会館 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証
更田裕司東大)・平入孝二半導体理工学研究センター)・安福 正高宮 真東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大SDM2011-95 ICD2011-63
 [more] SDM2011-95 ICD2011-63
pp.127-132
ICD 2011-04-19
11:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センターICD2011-12
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] ICD2011-12
pp.65-70
ICD 2010-04-22
10:50
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクスICD2010-3
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more]
ICD2010-3
pp.13-16
SDM [詳細] 2008-11-14
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジSDM2008-178
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] SDM2008-178
pp.55-60
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジSDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道 北見工業大学 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
石倉 聡車田総希寺野登志夫山上由展粉谷直樹里見勝治松下電器)・新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹大芦敏行牧野博之篠原尋史ルネサステクノロジ)・赤松寛範松下電器SDM2007-168 ICD2007-96
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。... [more] SDM2007-168 ICD2007-96
pp.145-148
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
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