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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-11-20
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~
執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2020-30
 [more] SDM2020-30
pp.36-40
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作
後藤正英NHK)・本田悠葵NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大ICD2019-38 IE2019-44
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] ICD2019-38 IE2019-44
pp.45-49
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大SDM2018-90
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
15:15
広島 サテライトキャンパスひろしま 画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
pp.43-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
10:30
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス [招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74
 [more] CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74
pp.17-21
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:05
大阪 中央電気倶楽部 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
水谷朋子竹内 潔鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2016-67 ICD2016-35
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more] SDM2016-67 ICD2016-35
pp.123-126
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
11:45
熊本 熊本市 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき
水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2015-68 ICD2015-37
 [more] SDM2015-68 ICD2015-37
pp.59-62
SDM 2015-01-27
14:25
東京 機械振興会館 [招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ
後藤正英萩原 啓井口義則大竹 浩NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大SDM2014-141
超高精細と高フレームレートとを両立できる次世代のイメージセンサを目指して、画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメー... [more] SDM2014-141
pp.25-28
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]しきい値電圧自己調整MOSトランジスタおよびSRAMセルの超低電圧(0.1V)動作
平本俊郎上田晃頌鄭 承旻水谷朋子更屋拓哉東大SDM2014-71 ICD2014-40
0.1Vという超低電圧で動作するVth自己調整MOSFETを提案した.このデバイスでは,オン時にVthが低下し,オフ時に... [more] SDM2014-71 ICD2014-40
pp.51-54
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2013-74 ICD2013-56
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した.NMと... [more] SDM2013-74 ICD2013-56
pp.43-46
SDM, ED
(共催)
2013-02-28
09:00
北海道 北海道大学(百年記念会館) 室温動作単電子トランジスタとCMOS1-bitアナログセレクタの集積化
鈴木龍太野末喬城更屋拓也平本俊郎東大ED2012-137 SDM2012-166
あらまし 本研究では、室温動作シリコン単電子トランジスタ(SET)の作製プロセスの改良により、同時に作製されるMOSF... [more] ED2012-137 SDM2012-166
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-144 ICD2010-59
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
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