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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-12 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング ○福田浩一・服部淳一・浅井栄大（産総研）・矢板潤也・小谷淳二（富士通）  SDM2021-62 |
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] | SDM2021-62 pp.47-52 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 14:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 ○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤 優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研） ED2020-34 MW2020-87 |
[more] | ED2020-34 MW2020-87 pp.34-37 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:00 |
京都 | 京大桂キャンパス | GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性 ○小谷淳二・山田敦史・石黒哲郎・中村哲一（富士通研） ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 |
本研究では、InAlN High electron mobility transistor (HEMT)構造におけるショ... [more] | ED2016-57 CPM2016-90 LQE2016-73 pp.1-4 |
| ED | 2008-06-13 13:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰 保（北大） ED2008-24 |
[more] | ED2008-24 pp.11-16 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 14:15 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性 ○田村隆博・小谷淳二・大井幸多・橋詰 保（北大） R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 |
AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のチャネル中における電界分布の均一性向上を図るため、ゲート電極直下... [more] | R2007-49 ED2007-182 SDM2007-217 pp.19-22 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 17:35 |
福井 | 福井大学 | 絶縁膜/n-GaN構造の光応答とセンサ応用 ○水江千帆子・松山哲也・小谷淳二・ミツェーク マルチン・橋詰 保（北大） ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 |
Metal-Insulator-Semiconductor(MIS)構造を用いた紫外光センサ構造を目的として、絶縁膜にA... [more] | ED2007-164 CPM2007-90 LQE2007-65 pp.43-46 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:15 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大） ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス（BTストレス）評... [more] | ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 pp.73-76 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 13:25 |
東京 | 機械振興会館 | ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価 ○田村隆博・小谷淳二・葛西誠也・橋詰 保（北大） |
AlGaN/GaN HEMT構造をメサ形状に加工してショットキーラップゲート(WPG)を形成したナノ細線FETを作製し、... [more] | ED2006-232 MW2006-185 pp.179-182 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:20 |
京都 | 京都大学 | 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 ○木村 健・小谷淳二・加藤寛樹・田島正文・小川恵理・水江千帆子・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2006-157 CPM2006-94 LQE2006-61 pp.29-34 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2006-05-19 13:10 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ＶＢＬ | Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御 ○小谷淳二・金子昌充・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2006-36 CPM2006-23 SDM2006-36 pp.91-94 |
| ED, MW (共催) |
2006-01-19 10:45 |
東京 | 機械振興会館 | AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ特性の評価 ○バシーレ アルベルト・小谷淳二・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2005-200 MW2005-154 pp.7-12 |
| R, ED, SDM (共催) |
2005-11-25 15:55 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおけるの異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討 ○葛西誠也・小谷淳二・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
ショットキーゲートGaN系ヘテロ構造FET(HFET)に関し，ナノメートルサイズまでゲート長を短縮した際に生じる特有のゲ... [more] | R2005-46 ED2005-181 SDM2005-200 pp.47-52 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 15:40 |
滋賀 | 立命館大学 | AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程 ○小谷淳二・葛西誠也・長谷川英機・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2005-132 CPM2005-119 LQE2005-59 pp.67-70 |
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