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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2014-01-29
13:55
東京 機械振興会館 [招待講演]110 億トランジスタの特性分布における±5.4σより外れたトランジスタの解析
水谷朋子クマール アニール平本俊郎東大SDM2013-142
110億個のトランジスタの特性分布のテール部分にあるトランジスタの特性を詳細に解析した.その結果,定電流法で定義された ... [more] SDM2013-142
pp.31-34
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2013-74 ICD2013-56
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した.NMと... [more] SDM2013-74 ICD2013-56
pp.43-46
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大SDM2012-65 ICD2012-33
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:00
富山 富山県民会館 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価
水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-83 ICD2011-51
 [more] SDM2011-83 ICD2011-51
pp.65-68
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:25
富山 富山県民会館 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-84 ICD2011-52
 [more] SDM2011-84 ICD2011-52
pp.69-73
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