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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 11:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価 ○山羽 隆・中塚 理（名大）・木下恭一・依田眞一（JAXA）・財満鎭明（名大）  ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 |
[more] | ED2012-32 CPM2012-16 SDM2012-34 pp.73-77 |
| LQE | 2010-12-17 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 1.3ミクロン帯半導体レーザ基板用大型InGaAs単結晶の製造 ○木下恭一・依田眞一（JAXA）・青木拓克・山本 智・細川忠利・松島正明（フルウチ化学）・荒井昌和（NTT東日本）・川口悦弘（NEL）・狩野文良（NTT）・近藤康洋（NEL） LQE2010-123 |
半導体レーザの基板として均一組成の板状InxGa1-xAs (x: 0.10 – 0.13) 単結晶育成に世... [more] | LQE2010-123 pp.43-46 |
| LQE, CPM, EMD, OPE (共催) |
2008-08-29 10:15 |
宮城 | 東北大学 | InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作 ○荒井昌和・田所貴志・藤澤 剛・小林 亘・川口悦弘・湯田正宏（NTT）・木下恭一・依田真一（JAXA）・近藤康洋（NTT） EMD2008-48 CPM2008-63 OPE2008-78 LQE2008-47 |
[more] | EMD2008-48 CPM2008-63 OPE2008-78 LQE2008-47 pp.83-88 |
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