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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 14:10 |
ONLINE | オンライン開催 | 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 ○上向井正裕・樋口晃大・谷川智之・片山竜二（阪大）  ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 |
GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている．励... [more] | ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72 pp.79-82 |
| PN, EMT, OPE, EST, MWP, LQE (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2019-01-18 11:15 |
大阪 | 大阪大学中之島センター | 深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討 ○上向井正裕・楠本 壮・田附大貴（阪大）・田島純平・彦坂年輝・布上真也（東芝）・片山竜二（阪大） PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94 |
GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率波長変換デバイスへの応用が期待されている．励起... [more] | PN2018-76 EMT2018-110 OPE2018-185 LQE2018-195 EST2018-123 MWP2018-94 pp.243-246 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 15:10 |
愛知 | 名古屋工業大学 | Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 ○林 侑介・三宅秀人・平松和政・秋山 亨・伊藤智徳（三重大）・片山竜二（阪大） ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 |
[more] | ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 pp.87-90 |
| ED | 2015-07-24 13:15 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価 ○青木俊周（福井大）・谷川智之・片山竜二・松岡隆志（東北大）・塩島謙次（福井大） ED2015-36 |
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧（I-V）、容量‐電圧（C-V）、光応答（PR）測定を用いて評... [more] | ED2015-36 pp.1-4 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-06-20 11:25 |
東京 | 機械振興会館 | 高非線形TiO2光導波路による広波長帯域光発生 ○北 智洋・内島晃司・藪野正裕・逢坂 崇・片山竜二・枝松圭一・山田博仁（東北大） OPE2014-14 LQE2014-19 |
高い非線形光学定数と大きなバンドギャップを持つTiO2をコアとしたチャネル型導波路を用いた高波長帯域光発生デバイスに関し... [more] | OPE2014-14 LQE2014-19 pp.11-14 |
| MW, ED (共催) |
2013-01-18 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT ○小林健悟・吉田智洋・尾辻泰一・片山竜二・松岡隆志・末光哲也（東北大） ED2012-126 MW2012-156 |
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] | ED2012-126 MW2012-156 pp.75-78 |
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