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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EE 2019-01-16
11:00
熊本 熊本市国際交流会館 太陽電池ストリング測定データを用いたストリング回路モデルパラメータ推定による故障検出
原 重臣嘉数 誠佐賀大EE2018-39
メガソーラー発電所のストリング故障検出、故障種類判別を目標にする。メガソーラー発電所で実用的に測定可能なストリングの直流... [more] EE2018-39
pp.7-11
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:20
愛知 名古屋工業大学 NO2ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価
石松裕真舟木浩祐桝谷聡士宮崎恭輔大島孝仁嘉数 誠大石敏之佐賀大ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76
ダイヤモンドは高周波かつ高出力デバイスへの応用が期待されており,これまでに水素終端やNO2 ホールドーピングにより高周波... [more] ED2017-63 CPM2017-106 LQE2017-76
pp.69-72
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-19
15:25
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製
河野直士嘉数 誠大石敏之佐賀大ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23
 [more] ED2016-18 CPM2016-6 SDM2016-23
pp.25-28
ED 2016-01-20
13:55
東京 機械振興会館 [依頼講演]等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 ~ 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 ~
大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-116
Ga2O3やダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体が,レクテナ回路のRF-DC変換効率に与える影響を等価回路モデル... [more] ED2015-116
pp.25-29
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
16:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 高移動度β-Ga2O3(-201)単結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製
古賀優太原田和也花田賢志大石敏之嘉数 誠佐賀大ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
高電子移動度を有するEFG法で成長したβ―Ga2O3(2 ̅01)面方位の単結晶を用いた高性能ショットキーバリ... [more] ED2015-22 CPM2015-7 SDM2015-24
pp.31-34
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
17:05
愛知 豊橋技科大VBL棟 Al2O3絶縁膜を有するNO2吸着H終端処理ダイヤモンドFETのデバイスシミュレーション
大石敏之東 竜太郎原田和也古賀優太佐賀大)・平間一行NTT)・嘉数 誠佐賀大ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
H終端処理したダイヤモンド表面にNO2を吸着させ,Al2O3絶縁膜で保護したダイヤモンド電界効果トランジスタのデバイスシ... [more] ED2015-24 CPM2015-9 SDM2015-26
pp.41-44
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