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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
14:55
宮城 東北大学・電気通信研究所 光励起多層グラフェンにおける広帯域テラヘルツ光放射の観測
込山貴大渡辺隆之東北大)・セルゲイ モロゾフミカイル ファディーフウラジーミル ウートチキンIPM-RAS)・吹留博一佐藤 昭尾辻泰一東北大ED2019-80
SiC基板のC面上に熱分解により成長させたNon-Bernal積層エピタキシャル多層グラフェンを波長2.3 μmの近赤外... [more] ED2019-80
pp.17-20
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-24
10:05
宮城 東北大学・電気通信研究所 格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタのゲート電極からの光電流出力に関する検討
齋藤 琢鈴木雅也細谷友崇尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・佐藤 昭東北大ED2019-88
我々は室温動作・高感度・高速応答可能な高感度THz検出素子として期待される、格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタ... [more] ED2019-88
pp.49-52
ED, THz
(共催)
2018-12-17
16:35
宮城 東北大・通研 SiC表面分解により生成したグラフェンの層間結合力測定
田邉匡生唐 超布施吉貴菅原健太込山貴大佐藤陽平吹留博一尾辻泰一小山 裕東北大ED2018-59
ファンデルワールス力は1937年にロンドンにより説明されているが、80年が経過した現在でも測定されていない。本研究は2次... [more] ED2018-59
pp.25-26
ED, THz
(共催)
2018-12-18
10:05
宮城 東北大・通研 格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタの偏光特性制御のための二次元ナノアンテナ導入
鈴木雅也細谷友崇末光哲也東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・尾辻泰一佐藤 昭東北大ED2018-64
 [more] ED2018-64
pp.43-46
ED, THz
(共催)
2017-12-19
15:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性
菅原健太渡辺隆之ヤダフ ディピカ込山貴大布施吉貴東北大)・リジー マキシム会津大)・リジー ヴィクトール吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2017-91
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する.SiC基板の熱... [more] ED2017-91
pp.73-76
ED 2016-12-19
16:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 180 nmCMOSプロセスを用いたテラヘルツ検出器の設計と評価
脇田幸典池辺将之北大)・Stevanus Arnold尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬南出泰亜理研)・佐野栄一北大ED2016-83
近年、テラヘルツ波を用いたイメージングが注目を集めている。本研究では、イメージングアレイへの搭載に向けて、イメージングピ... [more] ED2016-83
pp.17-22
ED 2016-12-19
16:30
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 直列アレイ化とレンズ集積による非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタのテラヘルツ波受光効率向上
細谷友崇糟谷文月谷口弘樹渡辺隆之末光哲也尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬伊藤弘昌南出泰亜理研)・石橋忠夫NTTエレクトロニクステクノ)・清水 誠NEL)・佐藤 昭東北大ED2016-84
室温動作可能、高速応答可能なテラヘルツ受光デバイスとして、非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタ(ADGG-HEM... [more] ED2016-84
pp.23-28
ED 2016-12-20
09:50
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 ナノカーボン材料のテラヘルツ応答特性
宮島卓也北大)・杉目恒志早大)・菅原健太渡辺隆之尾辻泰一東北大)・佐野栄一北大ED2016-89
テラヘルツ(THz)半導体デバイス実現のためには新素材や新構造の研究が重要であり、その中でもナノカーボン材料は近年注目を... [more] ED2016-89
pp.49-54
CS, OCS
(併催)
2016-01-22
09:50
鹿児島 鹿児島大学 稲盛アカデミー(郡元キャンパス) 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換
菅原健太玉虫 元アドリアン ドブロユ吉田智洋末光哲也吹留博一末光眞希リズィー ビクトール岩月勝美東北大)・桑野 茂可児淳一寺田 純NTT)・尾辻泰一東北大OCS2015-95
グラフェンチャネルFET(G-FET),及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し,それらトランジスタを用... [more] OCS2015-95
pp.41-46
ED 2015-12-21
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出
玉虫 元菅原健太佐藤 昭田島圭一郎吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2015-95
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] ED2015-95
pp.25-30
ED 2015-12-22
10:05
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 グラフェン二重層ヘテロ構造を用いたテラヘルツ放出または検出に関する研究
Deepika YadavStephane Boubanga TombetStevanus Arnold渡辺隆之RIEC Tohoku Univ.)・Victor RyzhiiInst. of Ultra High Freq. Semicond. Elect. Russia)・尾辻泰一RIEC Tohoku Univ.ED2015-103
We report on experimental observation of terahertz emission ... [more] ED2015-103
pp.71-76
ED 2015-12-22
10:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 光照射カーボンナノチューブフォレストのテラヘルツ応答
宮島卓也板津太郎北大)・杉目恒志ケンブリッジ大)・ステファヌス アルノード尾辻泰一東北大)・佐野栄一北大ED2015-104
 [more] ED2015-104
pp.77-82
ED 2014-12-22
14:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング
川崎鉄哉吉田智洋菅原健太Adrian Dobroiu渡辺隆之杉山弘樹若生洋由希東北大)・可児淳一寺田 純桑野 茂NTT)・吾郷浩樹河原憲治九大)・岩月勝美末光哲也尾辻泰一東北大ED2014-100
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5~37.5... [more] ED2014-100
pp.9-13
ED 2014-12-23
10:05
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタを用いたプラズモニックテラヘルツ検出の広帯域特性
佐藤 昭ステファン ボーバンガ トムベット渡辺隆之川﨑鉄哉末光哲也東北大)・デニス ファティエフヴャチェスラフ ポポフコテルニコフ無線電子工学研(サラトフ支部))・南出泰亜伊藤弘昌理研)・ドミニク コキラヴォイチェック クナップモンペリエ第二大)・ギローム ドュコーナマイクロエレクトロニクス研)・尾辻泰一東北大ED2014-109
非対称二重格子ゲート高電子移動度トランジスタを用いたテラヘルツ検出について、測定された検出感度の広帯域特性を理論と比較す... [more] ED2014-109
pp.63-67
ED 2014-12-23
14:10
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 金属メッシュ付き単層グラフェンからの増幅されたテラヘルツ波放射
板津太郎佐野栄一北大)・矢部裕平Victor Ryhzii尾辻泰一東北大ED2014-114
テラヘルツ(THz)領域を活用するためには、小型な THz 発振器の開発が必須である。我々は THz 光源の元となる T... [more] ED2014-114
pp.91-96
ED 2013-12-17
13:30
宮城 東北大通研 [招待講演]Novel concepts and technology for terahertz device applications using graphene
Victor RyzhiiAkira SatouTohoku Univ.)・Maxim RyzhiiUniv. of Aizu)・Taiichi OtsujiTohoku Univ.ED2013-106
本稿では,グラフェンを使ったテラヘルツデバイス応用の研究に関する進展について報告する.グラフェン特有の電子・光学特性を活... [more] ED2013-106
pp.91-96
ED 2013-12-17
14:10
宮城 東北大通研 非対称二重回折格子状ゲート構造HEMTによる超高感度・周波数選択制テラヘルツ波検出
川崎鉄哉畠山信也栗田裕記東北大)・Guillaume DucournauIEMN)・Dominique CoquillatUniv. Montpellier 2 & CNRS)・小林健悟佐藤 昭東北大)・Yahya M. MezianiUniv. Salamanca)・Vyacheslav. V. PopovKotelnikov Inst. Radio Eng. Electron)・Wojciech KnapUniv. Montpellier 2 & CNRS)・末光哲也尾辻泰一東北大ED2013-107
我々は、二次元プラズモン流体非線形性を検出原理とする、独自の非対称二重格子状ゲート構造を有するHEMT(Asymmetr... [more] ED2013-107
pp.97-100
EST 2013-05-10
13:00
神奈川 NTT厚木研究開発センター グラフェンにおけるテラヘルツ二次元プラズモンのシミュレーションによる解析
佐藤 昭ヴィクトール リズィー東北大)・ウラジミール ミッティンフェデール ヴァスコニューヨーク州立大バッファロー校)・尾辻泰一東北大EST2013-4
格子ゲート構造を有するグラフェンチャネルにおけるテラヘルツ二次元プラズモンの解析を目的とし、ボルツマン方程式と自己無撞着... [more] EST2013-4
pp.15-20
MW, ED
(共催)
2013-01-18
14:55
東京 機械振興会館 SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
小林健悟吉田智洋尾辻泰一片山竜二松岡隆志末光哲也東北大ED2012-126 MW2012-156
HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動... [more] ED2012-126 MW2012-156
pp.75-78
MW, ED
(共催)
2013-01-18
15:20
東京 機械振興会館 多層SiCN鋳型を用いたT型ゲート電極を用いたInGaAs HEMT
吉田智洋小林健悟尾辻泰一末光哲也東北大ED2012-127 MW2012-157
ミリ波帯応用を目指したIII-V系化合物半導体FETにおいては,短ゲート化に伴うゲート抵抗増大への対策としてT型ゲート電... [more] ED2012-127 MW2012-157
pp.79-84
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