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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MICT, SAT (共催) WBS, RCC (共催) (併催) [詳細] |
2023-05-26 13:30 |
東京 | 東京ビッグサイト （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［特別講演］衛星搭載RF通信機器の発展の歴史及び最新動向 ○岡田俊輔・榊原千洋・蛭田昌紀（NECスペーステクノロジー）  SAT2023-8 MICT2023-8 |
NECスペーステクノロジー（株）（以下、NECスペース）（注1））は日本の宇宙開発の黎明期から衛星搭載機器の開発を行って... [more] | SAT2023-8 MICT2023-8 pp.38-41 |
| SDM | 2020-01-28 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］重アンモニアを用いた高信頼性メモリセル絶縁膜の形成 ○野口将希・磯貝達典・山下博幸・澤 敬一・藤塚良太・山中孝紀・岡田俊祐・青山知憲・相宗史記・阿部淳子・小川義宏・中川聖士・宮島秀史（キオクシア） SDM2019-82 |
信頼性の高い不揮発性メモリを実現するために、メモリセル絶縁膜の電荷保持特性の向上が望まれている。セル絶縁膜の一部であるト... [more] | SDM2019-82 pp.1-4 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:00 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・宮川鈴衣奈・江龍 修（名工大）・橋詰 保（北大） ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面，(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] | ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 pp.111-115 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 09:30 |
大阪 | 大阪市立大学 | 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長 ○神野大樹・岡田俊祐・三宅秀人・平松和政（三重大）・江夏悠貴・長尾 哲（三菱化学） ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 |
(10-10) GaNや(20-21) GaN，(20-2-1) GaNをはじめとする非極性GaN基板上へのGaNの選択... [more] | ED2012-77 CPM2012-134 LQE2012-105 pp.51-54 |
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