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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2020-11-20 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si IGBTの３次元デバイス・シミュレーション ～ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ～ ○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由（東工大）・中島 昭（産総研）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・若林 整・宗田伊里也（東工大）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）  SDM2020-30 |
[more] | SDM2020-30 pp.36-40 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［依頼講演］5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 ○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・齋藤 渉（九大）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大） SDM2019-42 ICD2019-7 |
[more] | SDM2019-42 ICD2019-7 pp.31-34 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| SDM | 2017-06-20 15:15 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 ○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大） SDM2017-27 |
[more] | SDM2017-27 pp.31-34 |
| EMT, PN, LQE, OPE, MWP, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2012-01-26 15:40 |
大阪 | 大阪大学コンベンションセンター | モードホップフリー波長可変レーザの開発と応用 ○布谷伸浩・石井啓之・伊賀龍三・佐藤具就・大橋弘美（NTT） PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 |
高速波長切替可能かつ安定運用可能な光通信用光源の開発を目的とし、モードホップ無く波長変化する半導体レーザの開発を行った。... [more] | PN2011-48 OPE2011-164 LQE2011-150 EST2011-98 MWP2011-66 pp.99-102 |
| OCS, LQE, OPE (共催) |
2011-10-27 15:15 |
高知 | 高知工科大 | 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源 ○藤澤 剛・金澤 慈・石井啓之・川口悦弘・布谷伸浩・大木 明・高畑清人・伊賀龍三・狩野文良・大橋弘美（NTT） OCS2011-68 OPE2011-106 LQE2011-69 |
1波当たり25-Gbit/sで動作する、1.3m帯の電界吸収型変調器集積レーザ（EADF... [more] | OCS2011-68 OPE2011-106 LQE2011-69 pp.77-80 |
| EE, IEE-HCA (連催) |
2011-05-27 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | 高電圧直流給電システムにおける絶縁形DC-DCコンバータのサージ電圧解析 ○土本和秀・二宮 保・中尾貴一（長崎大）・シマンジョラン レジェキ・山口 浩・大橋弘通（産総研）・安部征哉（国際東アジア研究センター）・加賀雅人・福井昭圭（NTTファシリティーズ） EE2011-5 |
高電圧直流給電システムにおける絶縁形DC-DCコンバータを対象とし，2次側整流用ダイオード両端に発生するサージ電圧の発生... [more] | EE2011-5 pp.47-52 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 18:10 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | フリップチップ実装対応直接変調DFBレーザ ○金澤 慈・大木 明・伊藤敏夫・伊賀龍三・佐藤具就・石井啓之・大橋弘美（NTT） EMD2010-62 CPM2010-78 OPE2010-87 LQE2010-60 |
[more] | EMD2010-62 CPM2010-78 OPE2010-87 LQE2010-60 pp.169-174 |
| LQE | 2009-12-11 11:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 ○竹下達也・佐藤具就・満原 学・近藤康洋・大橋弘美（NTT） LQE2009-143 |
2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期... [more] | LQE2009-143 pp.25-30 |
| OPE, EMD, CPM, LQE (共催) |
2009-08-21 10:40 |
宮城 | 東北大学 | 40/100Gbpsイーサネット用リッジ構造直接変調MQW-DFBレーザ ○田所貴志・山中孝之・狩野文良・大橋弘美（NTT）・近藤康洋（NEL）・岸 健志（NTT） EMD2009-48 CPM2009-72 OPE2009-96 LQE2009-55 |
次世代高速イーサネット（40G/100GbE）用光源として期待できるリッジ構造直接変調MQW-DFBレーザを開発し、ビッ... [more] | EMD2009-48 CPM2009-72 OPE2009-96 LQE2009-55 pp.113-116 |
| LQE | 2008-12-12 14:10 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 波長可変DFBレーザアレイ(TLA)の狭線幅化 ○石井啓之・笠谷和生・大橋弘美（NTT） LQE2008-136 |
波長可変ＤＦＢレーザアレイ（TLA）の狭線幅化を行った．レーザを長共振器化した素子を試作した結果，Ｌ帯40 nmの波長可... [more] | LQE2008-136 pp.43-46 |
| OCS, LQE, OPE (共催) |
2008-10-24 14:05 |
福岡 | 九州大学 | 熱補償型SSG-DBRレーザによる高速周波数掃引 ○藤原直樹・石井浩之・川口悦弘・近藤康洋・大橋弘美・狩野文良（NTT） OCS2008-76 OPE2008-119 LQE2008-88 |
SSG-DBRレーザは電流注入・プラズマ効果型の高速波長可変レーザでナノ秒オーダの応答速度が得られる．したがって，WDM... [more] | OCS2008-76 OPE2008-119 LQE2008-88 pp.149-152 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 10:20 |
東京 | 機械振興会館 | 位相制御波長可変DFBレーザの波長可変幅拡大 ○布谷伸浩・柴田泰夫・石井啓之・岡本 浩・川口悦弘・近藤康洋・大橋弘美（NTT） OPE2007-18 LQE2007-19 |
位相制御波長可変DFBレーザの連続波長可変幅拡大のための検討を行った。DFB領域の反射帯域（ストップバンド）を広げて連続... [more] | OPE2007-18 LQE2007-19 pp.11-14 |
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