お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 59件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, THz
(共催)
2021-12-21
10:20
宮城 東北大学・電気通信研究所
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析
礒前雄人岸本尚之林 拓也國澤宗真東京理科大)・渡邊一世山下良美町田龍人原 紳介笠松章史NICT)・○遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2021-57
我々は3種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した.これらのHEMTエピタキシ... [more] ED2021-57
pp.44-47
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:45
宮城 東北大学・電気通信研究所 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT
大澤幸希岩木拓也遠藤勇輝平岡瑞穂岸本尚之林 拓也東京理科大)・渡邊一世NICT/東京理科大)・山下良美原 紳介後藤高寛笠松章史NICT)・遠藤 聡藤代博記東京理科大ED2019-83
我々は,世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し,これらのHEMTの特性を評価した.我々が以前に作製... [more] ED2019-83
pp.29-32
ED, THz
(共催)
2018-12-18
09:00
宮城 東北大・通研 [招待講演]InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化
遠藤 聡渡邊一世山下良美笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大)・三村高志NICTED2018-62
我々は,電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系,Sb系及びGaN系HEMTを作製し,これらのHEMTの特性を... [more] ED2018-62
pp.35-38
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]アンチモン系トランジスタの開発
藤代博記磯野恭佑高橋択斗原田義彬岡 直希竹内 淳藤澤由衣東京理科大)・藤川紗千恵東京電機大)・町田龍人東京理科大)・渡邊一世山下良美遠藤 聡原 紳介笠松章史NICTED2017-81
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により,InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] ED2017-81
pp.33-36
ED, THz
(共催)
2017-12-19
09:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTの低温DC・RF特性
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2017-82
In0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMT及びIn0.7Ga0.3Asチャ... [more] ED2017-82
pp.37-40
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
ED 2014-12-22
14:35
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 90GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの出力特性
渡邊一世NICT)・遠藤 聡NICT/富士通研)・笠松章史NICT)・三村高志NICT/富士通研ED2014-101
InGaAs/InAlAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高速・高周波・低雑音特性に優れるだけでなく,ミリ波帯... [more] ED2014-101
pp.15-19
ED 2014-12-22
15:00
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 種々の形状の埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2014-102
InAlAs/InGaAs 系HEMT の高速化に際しては,ゲート長Lg の短縮に加えて,短チャネル効果抑制のためのゲー... [more] ED2014-102
pp.21-26
ED 2014-08-01
11:45
東京 機械振興会館B3-1室 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析
初芝正太長井彰平藤川紗千恵東京理科大)・原 紳介遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・藤代博記東京理科大ED2014-55
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため,量子補正モンテカ
ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more]
ED2014-55
pp.13-18
ED 2013-12-16
13:55
宮城 東北大通研 埋め込みゲートを有するInAlAs/InGaAs HEMTのモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2013-92
InP系HEMTをより高速化する手段の一つとして,ゲート電極フット先端をバリア層に埋め込んだ構造がある.本研究においては... [more] ED2013-92
pp.13-17
RCS, SAT
(併催)
2013-08-29
14:40
長野 信州大学 災害時における携帯電話基地局の船上開設に向けた実証実験
福家直樹高橋徳雄池野和弘遠藤 晃高橋 良寺尾康宏山崎伸治KDDISAT2013-24
東日本大震災では、広範囲に渡って携帯電話基地局が障害を受け、携帯サービスが利用できない状況が発生した。災害時、携帯電話は... [more] SAT2013-24
pp.17-22
ED 2012-12-17
13:00
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・三村高志富士通研/NICTED2012-93
InAlAs/InGaAs系HEMTをより高速化する手段の一つとして,InGaAsチャネル層内にInAs層を導入したIn... [more] ED2012-93
pp.1-6
ED 2012-07-27
09:30
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析
永井佑太郎佐藤 純原 紳介藤代博記東京理科大)・遠藤 聡渡邊一世NICTED2012-48
InSbの歪みバンド構造を計算し,量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した.またInAs HEM... [more] ED2012-48
pp.37-42
ED 2011-12-14
13:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 ~ 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入 ~
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2011-101
InAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の有効質量の軽いI... [more] ED2011-101
pp.7-12
ED 2010-12-17
11:15
宮城 東北大学 電気通信研究所 ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世NICT)・三村高志富士通研/NICTED2010-168
InP 基板上のInAlAs/InGaAs 系HEMT を高速化する手段の一つとして,InGaAs チャネル層内に電子の... [more] ED2010-168
pp.59-64
SDM 2010-11-12
11:20
東京 機械振興会館 自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション
坪井秀行稲葉賢二伊勢真理子林 由紀江鈴木裕佳佐藤裕美小原幸子南雲 亮三浦隆治鈴木 愛畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-178
シリコン表面における酸化膜の形成メカニズムの解明,とくにドライ酸化・ウエット酸化・ラジカル酸化の初期過程における反応分子... [more] SDM2010-178
pp.41-43
SDM 2010-10-22
09:30
宮城 東北大学 ルミネッセンス計算化学による高分子発光材料/陰極界面の電子移動解析
山下 格大沼宏彰南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-159
 [more] SDM2010-159
pp.35-36
SDM 2010-10-22
10:00
宮城 東北大学 材料情報学による母体結晶からのEu2+付活蛍光体の発光特性予測
大沼宏彰吉原大貴山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-160
 [more] SDM2010-160
pp.37-38
SDM 2010-10-22
10:30
宮城 東北大学 計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析
広瀬 祥山下 格南雲 亮三浦隆治鈴木 愛坪井秀行畠山 望遠藤 明高羽洋充久保百司宮本 明東北大SDM2010-161
Si/SiC量子ドット太陽電池では、量子ドット/バルク界面欠陥によるキャリアトラップが問題となっている。これはSiとSi... [more] SDM2010-161
pp.39-40
 59件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会