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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-11 15:15 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］プラズマからのイオン衝撃により形成される欠陥構造の解析技術 ○江利口浩二（京大）  SDM2021-57 |
電子デバイス製造においてプラズマプロセスは重要な役割を担っている．プラズマエッチングでは，イオン照射と表面反応最適化によ... [more] | SDM2021-57 pp.23-28 |
| SDM | 2021-01-28 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価 ○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史（パナソニック）・占部継一郎・江利口浩二（京大） SDM2020-53 |
イメージセンサに代表される超低リーク電流デバイスを設計する上で，極微少量欠陥の存在および分布がデバイス特性に及ぼす影響を... [more] | SDM2020-53 pp.17-20 |
| ICD | 2016-04-14 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］確率微分方程式によるReRAM信頼性予測方法開発 ○魏 志強（PSCS）・江利口浩二（京大）・村岡俊作・片山幸治・安原隆太郎・河合 健・早川幸夫・島川一彦・三河 巧・米田慎一（PSCS） ICD2016-7 |
確率微分方程式に基づき、ReRAM固有な抵抗ばらつきを含めた抵抗分布を記述する方程式を開発した。この式を用い、フィラメン... [more] | ICD2016-7 pp.33-37 |
| SDM | 2013-10-18 11:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | 古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 ～ Fin型MOSFETでの欠陥生成機構 ～ ○江利口浩二・松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2013-95 |
[more] | SDM2013-95 pp.37-40 |
| SDM | 2013-10-18 13:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響 亀井政幸・中久保義則・鷹尾祥典・○江利口浩二・斧 高一（京大） SDM2013-97 |
[more] | SDM2013-97 pp.47-50 |
| SDM | 2012-10-25 16:35 |
宮城 | 東北大学未来研 | 温度制御型フォトリフレクタンス分光法を用いたプラズマ誘起Si基板ダメージの定量化とそのプロファイル解析 ○松田朝彦・中久保義則・鷹尾祥典・江利口浩二・斧 高一（京大） |
プラズマエッチング時のソースドレインエクステンション領域でのSi基板ダメージは，MOSFET劣化の要因として問題となって... [more] | |
| SDM | 2011-10-21 14:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］物理的プラズマダメージによるMOSFETバラツキ増大予測のための包括モデル ○江利口浩二・中久保義則・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-110 |
プロセスプラズマからのイオン衝撃による物理的プラズマダメージが，デバイス特性に及ぼす影響について詳細に考察した．イオンの... [more] | SDM2011-110 pp.73-78 |
| SDM | 2011-10-21 14:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | 電気的手法を用いた物理的Si基板ダメージのプラズマプロセス依存性の検討 ○中久保義則・江利口浩二・松田朝彦・鷹尾祥典・斧 高一（京大） SDM2011-111 |
プラズマプロセス中に形成される物理的Si基板ダメージを電流電圧特性及び電気容量特性により評価した。大気暴露による表面酸化... [more] | SDM2011-111 pp.79-84 |
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