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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2021-11-12 10:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］4H-SiCの高エネルギー輸送における一軸性応力の影響に関するフルバンドモンテカルロ解析 ○西村智也・永久克己・園田賢一郎・緒方 完（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2021-61 |
SiCは、パワーデバイス向けの次世代半導体材料として期待されており、一部はすでに実用化されている。しかし、その応力応答は... [more] | SDM2021-61 pp.43-46 |
| SDM | 2017-11-09 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討 ○酒井 敦・永久克己（ルネサス エレクトロニクス）・藤井宏基・森 隆弘（ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング）・秋山 豊・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2017-63 |
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため，信... [more] | SDM2017-63 pp.11-14 |
| SDM | 2015-11-06 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について ○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-91 |
[more] | SDM2015-91 pp.39-43 |
| SDM | 2009-12-04 13:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ［招待講演］High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男（ルネサステクノロジ/広島大）・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・○芝原健太郎（広島大/ルネサステクノロジ） SDM2009-159 |
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] | SDM2009-159 pp.43-47 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響 ○高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・佃 栄次・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ） VLD2007-57 SDM2007-201 |
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提 案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more] |
VLD2007-57 SDM2007-201 pp.33-36 |
| SDM, VLD (共催) |
2007-10-30 15:50 |
東京 | 機械振興会館 | 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証 ○佃 栄次（ルネサステクノロジ）・鎌倉良成（阪大）・高篠裕行・岡垣 健・内田哲也・林 岳・谷沢元昭・永久克己・若原祥史・石川清志・土屋 修・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・谷口研二（阪大） VLD2007-59 SDM2007-203 |
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] | VLD2007-59 SDM2007-203 pp.43-46 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 10:50 |
東京 | 機械振興会館 | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について ○永久克己・岡垣 健・谷沢元昭・石川清志・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
コンパクトモデルパラメータ抽出を含む新しいワーストモデル生成手法を提案する。本手法によれば、開発早期段階においてコンカレ... [more] | VLD2006-41 SDM2006-162 pp.13-18 |
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