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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-10
17:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]材料計算:古典コンピュータでできること、量子コンピュータでしかできないこと ~ 材料計算プラットフォームQuloud-RSDFTを例に ~
松下雄一郎東工大)・岩田潤一小杉太一トラン バ フン西谷侑将西 紘史QuemixSDM2022-70
 [more] SDM2022-70
pp.28-31
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-08
11:00
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 [招待講演]画素毎露光期間制御および適応型クロックドリチャージ駆動を用いた0.37W,143dBダイナミックレンジを有する100万画素裏面照射電荷収集型SPADイメージセンサ
前橋 雄大田康晴森本和浩笹子知弥篠原真人黒田享裕遠藤 航前川晋太郎本山昌尚戸島研三土屋宏之アブデルガファ愛満上平晃聖岩田旬史乾 文洋松野靖司櫻井克仁市川武史キヤノンSDM2022-35 ICD2022-3
近年、光の最小単位である光子を検出することができるフォトンカウンティング型イメージセンサ技
術が注目されている。とりわ... [more]
SDM2022-35 ICD2022-3
pp.8-11
SDM 2017-11-10
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
森 伸也美里劫夏南阪大)・岩田潤一押山 淳東大SDM2017-69
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため,実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] SDM2017-69
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
11:35
北海道 北海道大学情報教育館 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2017-45 ICD2017-33
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] SDM2017-45 ICD2017-33
pp.109-114
WPT 2015-06-12
12:55
東京 東京大学 特許出願からみた非接触給電の技術動向
大手昌也宮本秀一岩田 淳三森雄介特許庁WPT2015-22
特許庁では、平成26年度特許出願技術動向調査において「非接触給電関連技術」を調査テーマとして取り上げ、統計調査を実施した... [more] WPT2015-22
pp.7-12
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
14:20
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 第一原理計算計算によるIn系窒化物の特異な電子構造の理論的研究
白石賢二岩田潤一筑波大/JST)・小幡輝明筑波大)・押山 淳東大/JSTED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
In系窒化物半導体は共有結合半径の大きいIn原子とそれが小さい窒素原子からなる結晶である。またIn原子に注目すると最近接... [more] ED2009-138 CPM2009-112 LQE2009-117
pp.47-50
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