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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2012-04-24
14:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計
小田部 晃伊藤清男竹村理一郎土屋龍太日立)・堀口真志ルネサス エレクトロニクスICD2012-15
0.5 V動作高速CMOS LSIの実現可能性について検討を行った。はじめに,しきい値ばらつきを低減する技術として,完全... [more] ICD2012-15
pp.79-84
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
14:05
富山 富山県民会館 0.5 V小面積DRAMアレイ実現に向けた電流制御スイッチ付きセンスアンプ
小田部 晃柳川善光竹村理一郎関口知紀伊藤清男日立SDM2011-90 ICD2011-58
 [more] SDM2011-90 ICD2011-58
pp.99-102
ICD 2009-04-13
13:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]大容量DRAMの技術動向とサブ1V-DRAM動作低しきい値高感度アンプ動的制御方式
秋山 悟関口知紀竹村理一郎小田部 晃伊藤清男日立ICD2009-2
 [more] ICD2009-2
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:50
北海道 函館国際ホテル 0.4V高速動作、長リテンション時間を実現する12F2ツインセルDRAMアレー
竹村理一郎伊藤清男関口知紀秋山 悟半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・河原尊之日立
セル面積が12F 2のツインセルアレーについて、低電圧での高速書込み動作、長リテンション時間の可能性について検討した。同... [more] SDM2005-152 ICD2005-91
pp.55-60
ICD 2004-12-16
10:00
広島 広島大学 東広島キャンパス D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル
山岡雅直長田健一伊藤清夫土屋龍太河原尊之日立
FD-SOIの一種であるD2G-SOIというトランジスタ構造を用いて、低電力SoCに最適な2種類のSRAMメモリセルを提... [more] ICD2004-183
pp.1-5
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