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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, LSJ
(共催)
2016-05-20
13:50
福井 福井市地域交流プラザ テラヘルツ帯差周波発生に適した結合共振器による二波長面発光レーザの作製
太田寛人盧 翔孟熊谷直人北田貴弘井須俊郎徳島大LQE2016-15
電流注入により室温で動作するテラヘルツ波発生素子を目指して,半導体多層膜結合共振器構造を用いた面発光型の二波長レーザの作... [more] LQE2016-15
pp.67-72
EST, OPE, LQE, EMT, PN, MWP
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2015-01-30
09:50
大阪 大阪大学 豊中キャンパスΣホール 結合共振器構造による二波長面発光とテラヘルツ波発光素子
原山千穂盧 翔孟熊谷直人北田貴弘井須俊郎徳島大PN2014-66 OPE2014-191 LQE2014-178 EST2014-120 MWP2014-88
 [more] PN2014-66 OPE2014-191 LQE2014-178 EST2014-120 MWP2014-88
pp.245-250
ED 2012-12-17
14:15
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム [招待講演]半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生
森田 健北田貴弘井須俊郎徳島大ED2012-96
新たな面型テラヘルツ波発生素子として半導体微小共振器を二つ連結した半導体結合共振器構造を提案した。この結合共振器構造では... [more] ED2012-96
pp.17-21
OPE, OFT
(共催)
2012-03-02
14:00
東京 機械振興会館 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ
森田 健上山日向北田貴弘井須俊郎徳島大OFT2011-79 OPE2011-205
本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜... [more] OFT2011-79 OPE2011-205
pp.31-34
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
08:55
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットをもつGaAs/AlAs多層膜光共振器による面型全光スイッチ
北田貴弘高橋朋也森田 健井須俊郎徳島大PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
共振器内での光カー効果を利用した面型全光スイッチとして機能するGaAs$\slash$AlAs多層膜光共振器を分子線エピ... [more] PN2009-51 OPE2009-189 LQE2009-171
pp.85-88
OPE 2005-10-12
14:15
東京 機械振興会館 1.5μm高密度InAs量子ドットを利用する面型可飽和吸収体の検討
井上 潤NICT)・井須俊郎NICT/JST)・赤羽浩一山本直克NICT)・土屋昌弘NICT/JST
 [more] OPE2005-68
pp.19-22
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