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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-10-26 13:00 |
宮城 | 東北大学未来研 | Fabrication process for pentacene-based vertical OFETs with HfO2 gate insulator ○Min Liao（Tokyo Inst. of Tech.）・Hiroshi Ishiwara（Konkuk Univ.）・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.）  SDM2012-95 |
[more] | SDM2012-95 pp.33-36 |
| SDM | 2011-10-21 11:40 |
宮城 | 東北大学未来研 | Effect of peripheral region on the electrical properties of pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2011-108 |
[more] | SDM2011-108 pp.63-66 |
| SDM | 2010-10-21 16:40 |
宮城 | 東北大学 | Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes ○Young-uk Song・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-156 |
[more] | SDM2010-156 pp.21-24 |
| SDM | 2010-10-22 13:10 |
宮城 | 東北大学 | Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors ○Min Liao・Hiroshi Ishiwara・Shun-ichiro Ohmi（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2010-164 |
[more] | SDM2010-164 pp.49-52 |
| SDM | 2009-10-30 11:00 |
宮城 | 東北大学 | Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures ○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara（Tokyo Inst. of Tech.） SDM2009-127 |
[more] | SDM2009-127 pp.43-46 |
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