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 26件中 1〜20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
14:10
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SO... [more] SDM2019-51 ICD2019-16
pp.89-93
ASN 2019-01-29
10:25
鹿児島 休暇村 指宿 汎用太陽電池向け1 chip昇圧回路による照度Beat Sensor
鈴木康介石橋孝一郎電通大
 [more] ASN2018-88
pp.53-57
SDM 2018-11-09
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI-FETを用いたMOS Diode接続での特性および微小電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
生活環境下に存在するRF信号電力を利用するためには,高い電力変換効率を実現するRF整流器が必要である.RF整流器はµWも... [more] SDM2018-76
pp.59-64
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
10:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性 ~ 低電力、低コスト、高精度IoTセンサの提案 ~
石橋孝一郎電通大
新しいIoTセンサとしてBeat Sensorを提案する。Beat Sensorはセンサから得られたデータをID信号の間... [more] SDM2018-27 ICD2018-14
pp.11-14
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
14:25
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験
百瀬 駿井田次郎山田拓弥森 貴之伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
µW級の電力で機能する整流器を構築するためには,新たなダイオード技術の開発が必要である.従来のp-n接合ダイオード,ショ... [more] SDM2018-31 ICD2018-18
pp.31-34
MW
(第二種研究会)
2018-06-27
- 2018-06-29
海外 KMITL(タイ・バンコク) Rectification of Small Voltage Signal by Super Steep Subthreshold Slope "PN-Body Tied SOI FET" for RF Energy Harvesting
Takuya YamadaJiro IdaTakayuki MoriShun MomoseYasunori TsuchiyaKenji ItohKIT)・Koichiro IshibashiUEC
Rectification of the small voltage signal was experimentally... [more]
ASN 2018-01-30
11:15
大分 三菱電機 湯布郷館 エネルギーハーベスティングBeat Sensorとその特性 ~ 低コスト・小型・高精度IoTセンサの実現 ~
石橋孝一郎瀧峠良平電通大
 [more] ASN2017-86
pp.19-22
ASN 2018-01-31
12:20
大分 三菱電機 湯布郷館 [ポスター講演]エネルギーハーベスティングセンサネットワーク向けナノワット級外温度センサ回路
新居慎也石橋孝一郎電通大
本論文では外部素子にサーミスタを用いることで、センサ自体の低電力と小面積化を測ったエネルギーハーベスティングセンサネット... [more] ASN2017-104
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
11:35
北海道 北海道大学情報教育館 急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性
百瀬 駿井田次郎森 貴之吉田貴大岩田潤平堀井隆史古田貴大山田拓弥高松大地伊東健治金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
新たに提案した極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied SOI FETを用いたGat... [more] SDM2017-45 ICD2017-33
pp.109-114
SDM 2016-10-26
15:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹長谷川拓実岡西 忍前川径一新川田裕樹蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2016-71
pp.15-20
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-02
16:45
長崎 長崎県勤労福祉会館 SOTB MOSFETを用いた低電力マイクロコントローラの動的基板バイアス制御機構の実装と予備評価
奥原 颯慶大)・小出知明電通大)・Johannes maximilian kuehnAkram Ben Ahmed慶大)・石橋孝一郎電通大)・天野英晴慶大
 [more] CPSY2015-71
pp.57-62
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2015-12-02
17:10
長崎 長崎県勤労福祉会館 論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路
小出知明石橋孝一郎電通大)・杉井信之超低電圧デバイス技術研究組合
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silico... [more] CPM2015-134 ICD2015-59
pp.39-43
SDM 2014-10-17
14:30
宮城 東北大学未来研 [招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術
槇山秀樹山本芳樹尾田秀一蒲原史朗杉井信之山口泰男超低電圧デバイス技術研究組合)・石橋孝一郎電通大)・水谷朋子平本俊郎東大
薄膜BOX-SOI(SOTB)デバイスのように低ばらつきのトランジスタは動作電圧の低減に有効である。しかし、超低電圧領域... [more] SDM2014-94
pp.61-68
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAP
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
13:10
北海道 札幌市男女共同参画センター 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ
小野内雅文大津賀一雄五十嵐康人池谷豊人森田貞幸ルネサス エレクトロニクス)・石橋孝一郎電通大)・柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和... [more] SDM2012-82 ICD2012-50
pp.105-110
ICD, IPSJ-ARC
(連催)
2012-01-19
11:40
東京 電通大 [招待講演]スケーリング則から見た低電力技術とその方向
石橋孝一郎電通大
ムーアの法則によるLSIの高集積化は.スケーリング則による高速化、低電力化の恩恵も享受しながら、新しいアプリケーションを... [more] ICD2011-136
pp.21-22
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-22
09:50
広島 広島工業大学 アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法
金 鎮明名倉 徹東大)・高田英裕石橋孝一郎ルネサス エレクトロニクス)・池田 誠浅田邦博東大
 [more] ICD2011-27
pp.69-72
ICD, SDM
(共催)
2010-08-26
09:10
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 複数IPコア回路におけるスリープブロックの寄生容量を用いたチップ内電源共振雑音低減手法
金 鎮明名倉 徹東大)・高田英裕石橋孝一郎ルネサステクノロジ)・池田 誠浅田邦博東大
複数IP回路中にあるスリープブロックの寄生容量を用いた電源共振雑音低減手法を提案した.内部回路そのものが持っている寄生容... [more] SDM2010-124 ICD2010-39
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
2007-08-23
15:25
北海道 北見工業大学 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化
福岡一樹小澤 治森 涼五十嵐康人佐々木敏夫倉石 孝安 義彦石橋孝一郎ルネサステクノロジ
厚膜ゲート酸化膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術を提案する.本手法はPVT変動による突入電流,復帰時間のばらつ... [more] SDM2007-153 ICD2007-81
pp.69-73
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
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