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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2018-04-20
11:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell 3D Flash Memory on a 96-Word-Line-Layer Technology
Hiroshi MaejimaKazushige KandaSusumu FujimuraTeruo TakagiwaSusumu OzawaJumpei SatoYoshihiko ShindoManabu SatoNaoaki KanagawaJunji MushaSatoshi InoueKatsuaki SakuraiToshifumi HashimotoTMC)・Hao NguyenKen CheahHiroshi SugawaraSeungpil LeeWDC)・Toshiki HisadaTetsuya KanekoHiroshi NakamuraTMC
96層ワードラインのBiCS FLASH技術により、512Gb 3b/cell 3Dフラッシュメモリを開発した。性能改善... [more] ICD2018-10
pp.39-44
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDC
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
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