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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-13
10:55
愛媛 愛媛県男女共同参画センター Improvement of variational autoencoder based test escape detection through image conversion
Romain ChicoixTelecom SudParis)・○Michihiro ShintaniNAIST)・Kouichi KumakiRenesas Electronics)・Michiko InoueNAISTVLD2019-31 DC2019-55
In testing of large scale integration (LSI) circuit, test es... [more] VLD2019-31 DC2019-55
pp.13-18
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-14
16:10
愛媛 愛媛県男女共同参画センター 確率ベース手法を用いたマルチサイクルテストにおけるキャプチャパターンの故障検出能力低下問題の解析
中岡典弘青野智己・○工藤壮司王 森レイ樋上喜信高橋 寛愛媛大)・岩田浩幸前田洋一松嶋 潤ルネサス エレクトロニクスVLD2019-45 DC2019-69
先進自動運転システムの機能安全を保障するために , システムの起動時に論理組込み自己テスト (LBIST)
機構を用い... [more]
VLD2019-45 DC2019-69
pp.145-150
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
16:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクスSDM2019-39 ICD2019-4
28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼の... [more] SDM2019-39 ICD2019-4
pp.15-19
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:50
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]ISO26262 ASIL-Dをサポートする、次世代自動車アーキテクチャ向けに仮想化支援プロセッサを内蔵した28nm・600MHz車載フラッシュマイクロコントローラ
奥村直人大谷寿賀子大槻典正鈴木康文前田昇平柳田智則小池貴夫伊藤正雄上村 稔島崎靖久服部俊洋阪本憲成近藤弘郁ルネサス エレクトロニクスSDM2019-47 ICD2019-12
自動車の電気電子(E/E)アーキテクチャ進化に伴い、電子制御ユニット(ECU)の統合が求められている。ECU機能の統合に... [more] SDM2019-47 ICD2019-12
pp.67-71
CAS, CS
(共催)
2019-03-08
15:00
神奈川 湘南工科大学 [特別招待講演]車載Ethernetの最新トレンド
帆加利知史北島伸克ルネサス エレクトロニクスCAS2018-145 CS2018-113
自動運転、コネクテッドカーを実現するためにこれまでにない大容量車両内データを処理する手段として、車載システムへのEthe... [more] CAS2018-145 CS2018-113
p.39
DC 2019-02-27
09:25
東京 機械振興会館 Variational Autoencoder-Based Efficient Test Escape Detection
Michihiro ShintaniNAIST)・Kouichi KumakiRenesas Electronics Corporation)・Michiko InoueNAISTDC2018-72
 [more] DC2018-72
pp.7-12
DC 2019-02-27
14:05
東京 機械振興会館 マルチサイクルテストにおける故障検出強化のためのFFトグル制御ポイントの選択法
青野智己Hanan T.Al-Awadhi王 森レイ樋上喜信高橋 寛愛媛大)・岩田浩幸前田洋一松嶋 潤ルネサス エレクトロニクスDC2018-79
車載システムの機能安全を保証するためには,システムの起動時にテストを実行するパワーオンセルフテスト(POST)が必要とな... [more] DC2018-79
pp.49-54
SDM 2019-01-29
13:20
東京 機械振興会館 [招待講演]サブモノレイヤ法によるAlナノクラスタを埋め込んだ高信頼性強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜の開発
山口 直張 田田大森和幸島田康弘国宗依信井手 隆井上真雄松浦正純ルネサス エレクトロニクスSDM2018-86
Hf0.5Zr0.5O2(HZO)膜を不揮発性メモリ材料とした強誘電体メモリの開発成果を報告する. 本研究では, 10n... [more] SDM2018-86
pp.21-26
HWS
(第二種研究会)
2018-12-13
15:05
東京 東京大学 武田先端知ビル 工場内に設置された産業機器における課題とルネサスの取り組み
余保 束ルネサス エレクトロニクス
(事前公開アブストラクト) 産業分野ではIndustory4.0が叫ばれ、工場内に設置された産業機器は工場の外部ネットワ... [more]
SDM 2018-11-08
09:20
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2018レビュー
園田賢一郎ルネサス エレクトロニクスSDM2018-64
2018 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2018-64
pp.1-6
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクスSDM2018-40 ICD2018-27
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-47 ICD2018-34
 [more] SDM2018-47 ICD2018-34
pp.109-113
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-48 ICD2018-35
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二日本システムウエア)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクスICD2018-8
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
ICD 2018-04-20
10:45
東京 機械振興会館 [依頼講演]同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減
横山佳巧石井雄一郎奥田治之新居浩二RELICD2018-9
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] ICD2018-9
pp.33-38
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
IPSJ-ARC, IPSJ-SLDM
(共催)
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
(連催) [詳細]
2018-01-19
16:40
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 来往舎 LLVMバックエンドの最適化性能テストのミュータント生成
田中健司石浦菜岐佐関西学院大)・西村啓成福井昭也ルネサス エレクトロニクスVLD2017-88 CPSY2017-132 RECONF2017-76
本稿では, 既存のテストプログラムから自動生成した機能等価なミュータントにより, コンパイラ基盤 LLVM のバックエン... [more] VLD2017-88 CPSY2017-132 RECONF2017-76
pp.169-174
SDM 2017-11-09
13:05
東京 機械振興会館 p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討
酒井 敦永久克己ルネサス エレクトロニクス)・藤井宏基森 隆弘ルネサス)・秋山 豊山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-63
BiCDプロセスで用いられるp-LDMOSFETではホットキャリアストレスによってゲート酸化膜の絶縁破壊が起こるため,信... [more] SDM2017-63
pp.11-14
SDM 2017-11-10
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル
黄 俐昭宮森 充常野克己牟田哲也川嶋祥之ルネサス エレクトロニクスSDM2017-71
28nm世代のフラッシュ混載MCUに搭載するスプリットゲート-MONOS型不揮発性メモリセル(SG-MONOSセル)の読... [more] SDM2017-71
pp.53-58
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