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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
MW	2008-08-28 14:20	大阪	大阪大学（豊中）	サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原　学・上田哲三・酒井啓之・田中　毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） MW2008-85	サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more]	MW2008-85 pp.37-40
SDM, ED (共催)	2008-07-11 14:20	北海道	かでる２・７（札幌）	AlGaN/GaN-based Millimeter Wave Monolithic ICs with Laser-Drilled Via-holes Through Sapphire ○Tomohiro Murata・Masayuki Kuroda（Matsushita Electric Industrial）・Shuichi Nagai（Panasonic Boston Lab.）・Masaaki Nishijima・Hidetoshi Ishida・Manabu Yanagihara・Tetsuzo Ueda・Hiroyuki Sakai・Tsuyoshi Tanaka（Matsushita Electric Industrial）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.） ED2008-103 SDM2008-122	We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers on sapphire... [more]	ED2008-103 SDM2008-122 pp.331-335
ED, MW (共催)	2008-01-16 16:15	東京	機械振興会館	10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原　学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中　毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144	我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more]	ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43

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