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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMCJ 2012-07-19
14:30
東京 機械振興会館 電源グランドプレーン共振を抑えるための最適な部品選定手法の考察
佐野宏靖都立産技研センター)・丸山良明NEC情報システムズ)・時川昌大サンリツオートメイションEMCJ2012-35
電源プレーンとグランドプレーンの共振がIC駆動時の電位の揺れを外部に放射させ,CISPRやFCCの放射ノイズの規格をオー... [more] EMCJ2012-35
pp.19-21
VLD 2012-03-06
14:00
大分 ビーコンプラザ 不完全ネストループに対するループパイプライン
竹中 崇若林一敏NEC)・中越優佳NEC情報システムズVLD2011-126
不完全ネストループに対してループパイプラインを適用できる動作合成手法を提
案する。不完全ネストループとは、ループの... [more]
VLD2011-126
pp.37-42
PRMU, IBISML
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2011-09-06
11:00
北海道 はこだて未来大学 Multiple Instance LVQによる物体検出
細井利憲宮野博義石寺永記NEC情報システムズPRMU2011-74 IBISML2011-33
粗い教示データを用いた物体検出向けの学習方式Multiple Instance LVQを提案する.Multiple In... [more] PRMU2011-74 IBISML2011-33
pp.145-150
IBISML, PRMU
(共催)
IPSJ-CVIM
(連催) [詳細]
2010-09-06
11:10
福岡 福岡大学 裾野の重たい分布関数を利用した学習ベクトル量子化手法
宮野博義石寺永記NEC情報システムズPRMU2010-81 IBISML2010-53
事後確率最大化に基づく新しい学習ベクトル量子化(LVQ)の手法を提案する。LVQはデータを学習することによって求められる... [more] PRMU2010-81 IBISML2010-53
pp.185-192
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
PRMU 2008-02-21
15:30
茨城 筑波大学 [特別講演]文字認識研究の新たな研究に向けて
津雲 淳NEC情報システムズPRMU2007-226
1990年代初頭に文字認識の研究において取組むべき重要な問題の検討が行われた。その問題を通じて文字認識に対する当時の問題... [more] PRMU2007-226
pp.69-74
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:25
東京 機械振興会館 Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
竹田 裕NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・羽根正巳NECVLD2007-58 SDM2007-202
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] VLD2007-58 SDM2007-202
pp.37-41
SDM, VLD
(共催)
2007-10-31
15:25
東京 機械振興会館 SOI‐MOSFETにおける基板浮遊効果のモデル化
村上貴洋安藤 慎貞近倫夫広島大)・吉田隆樹NEC情報システムズ)・三浦道子広島大VLD2007-68 SDM2007-212
 [more] VLD2007-68 SDM2007-212
pp.41-45
IT, ISEC, WBS
(共催)
2007-03-16
10:45
群馬 群馬大学(桐生キャンパス) データ取得性制御可能なP2Pネットワークアーキテクチャの提案
笹村直樹情報セキュリティ大/NEC情報システムズ)・田中英彦情報セキュリティ大
 [more] IT2006-98 ISEC2006-153 WBS2006-95
pp.75-80
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
16:15
東京 機械振興会館 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
羽根正巳NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・江崎達也広島大)・山本豊二MIRAI-ASET
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more] VLD2006-50 SDM2006-171
pp.65-69
EMCJ, MW
(共催)
2005-10-28
11:10
秋田 秋田大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリ(VBL)2階大セミナー室 Analysis of Multilayered Power-Distribution Planes with Via Structures Using SPICE
Naoki KobayashiTakashi HaradaNEC)・Takahiro YaguchiNEC Informatec Systems
ヴィアを含む多層電源系プレーン構造の電圧変動を計算するための新等価回路モデルを提案する。 具体的には、各誘電体層を挟む導... [more] EMCJ2005-97 MW2005-103
pp.25-30
EMCJ 2005-04-22
16:30
神奈川 東海大学 湘南校舎 LSI電源モデルを用いたボードの電源供給系解析
原田高志和深 裕小林直樹NEC)・東浦健一アイカ工業)・矢口貴宏NEC情報システムズ
 [more] EMCJ2005-8
pp.41-45
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