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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SIP, CAS, CS
(共催)
2010-03-02
09:00
沖縄 宮古島 ブリーズベイマリーナ スキュー耐性の高い高効率Holdエラー補償手法
中村祐一NEC)・菅波和幸NECソフトウェア北陸)・江村秀之NECエレクトロニクス
 [more] CAS2009-107 SIP2009-152 CS2009-102
pp.167-172
DC 2010-02-15
09:00
東京 機械振興会館 統計的手法による微小Iddq変動外れ値の検出
中村芳行田中正史NECエレクトロニクス
プロセスの微細化に伴いIddqのばらつきが増大しており、Iddqテストが困難になっている。このため、Iddqの変動を観測... [more] DC2009-65
pp.1-5
SDM 2010-02-05
10:50
東京 機械振興会館 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
林 喜宏田上政由古武直也井上尚也中沢絵美子有田幸司NECエレクトロニクス
28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシ... [more] SDM2009-183
pp.7-11
SDM 2010-02-05
13:30
東京 機械振興会館 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
井口 学横川慎二相澤宏一角原由美土屋秀昭岡田紀雄今井清隆戸原誠人藤井邦宏NECエレクトロニクス)・渡部忠兆東芝
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜(k=2.4)と低誘電率積層バリア膜(k=3.9)を用いた32nmノード配線構... [more] SDM2009-186
pp.25-29
SDM 2010-02-05
15:15
東京 機械振興会館 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
山道新太郎森 健太郎菊池 克村井秀哉大島大輔中島嘉樹NEC)・副島康志川野連也NECエレクトロニクス)・村上朝夫NEC
インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ-パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5~... [more] SDM2009-189
pp.43-48
RCS, SIP
(共催)
2010-01-21
15:40
福岡 九大 A mechanical-noise suppressor for digital cameras and camcorders
Akihiko SugiyamaNEC Corp.)・Tsutomu MaedaKwangsoo ParkNEC Electronics
 [more] SIP2009-87 RCS2009-221
pp.83-86
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクス
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM 2009-11-13
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大
 [more] SDM2009-147
pp.67-71
ICD, ITE-IST
(共催)
2009-10-02
12:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京(田町) フォールディング補間アーキテクチャを用いた自己補正方式6ビット2.7GS/s ADC
中島雄二NECエレクトロニクス)・○阪口明美大城戸敏夫NECマイクロシステム)・松本哲也四柳道夫NECエレクトロニクス
90nm CMOS プロセスを用いて 自己補正方式の6ビット2.7GS/s ADCを開発した。これは、数GHz動作のAD... [more] ICD2009-53
pp.111-116
MW 2009-09-25
13:50
東京 電通大 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
田辺 昭肱岡健一郎長瀬寛和林 喜宏NECエレクトロニクス
3次元ソレノイド型インダクタを用いて、低電力・超小型の5GHzのLC-VCOとそれを組み込んだPLLを開発した。90nm... [more] MW2009-83
pp.55-60
MW 2009-09-25
17:15
東京 電通大 [特別講演]動的プリディストーション技術を用いたWCDMA用低歪電力増幅器
山之内慎吾青木雄一國弘和明NEC)・平山知央NECエレクトロニクス)・宮崎 孝NEC)・樋田 光NECエレクトロニクス
変調波信号入力時のAM-AMとAM-PM(動的歪特性)を補償する動的プリディストータ(PD)技術を開発しWCDMA用電力... [more] MW2009-90
pp.93-98
WBS 2009-07-24
14:40
静岡 静岡大工学部 ハイバンドUWB装置の基本特性とアグリゲーション実験
望月拓志NECエレクトロニクス)・李 還幇NICT)・広谷 光日立国際電気
平成20年度「マイクロ波帯を用いた通信用途のUWB無線システムの高度化に関する調査検討会」のハイバンド実験作業班で行なわ... [more] WBS2009-20
pp.75-80
WBS 2009-07-24
15:05
静岡 静岡大工学部 ハイバンドUWB装置からディジタルFPUへの影響評価(その1) ~ 同軸ケーブル接続試験 ~
広谷 光日立国際電気)・李 還幇NICT)・望月拓志NECエレクトロニクス
平成20年度「マイクロ波帯を用いた通信用途のUWB無線システムの高度化に関する調査検討会」のハイバンド実験作業班で行なわ... [more] WBS2009-21
pp.81-86
WBS 2009-07-24
15:30
静岡 静岡大工学部 ハイバンドUWB装置からディジタルFPUへの影響評価(その2) ~ 暗室内での実機を用いた影響評価 ~
久保山晴弘パナソニック電工)・望月拓志NECエレクトロニクス)・広谷 光日立国際電気)・李 還幇NICT
平成20年度の「マイクロ波帯を用いた通信用途のUWB無線システムの高度化に関する調査検討」で行なわれた測定結果の中から,... [more] WBS2009-22
pp.87-92
WBS 2009-07-24
15:55
静岡 静岡大工学部 超広帯域無線システムDAAにおける信号検出性能評価(その1) ~ ベースバンド評価システムの開発 ~
李 還幇滝沢賢一NICT)・山口博久インテル)・望月拓志NECエレクトロニクス)・野田正樹日立)・浜口 清NICT
平成20年度に行われたマイクロ波帯を用いた通信用途のUWB無線システム高度化に関する調査検討において,UWB干渉軽減技術... [more] WBS2009-23
pp.93-98
WBS 2009-07-24
16:20
静岡 静岡大工学部 超広帯域無線システム用DAAに関する信号検出性能評価(その2) ~ モバイルWiMAX信号及び3GPP LTE信号に対する評価実験 ~
滝沢賢一NICT)・山口博久インテル)・望月拓志NECエレクトロニクス)・清水達也NTT)・盧 鋒KDDI研
 [more] WBS2009-24
pp.99-104
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
14:10
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NEC
高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き... [more] SDM2009-114 ICD2009-30
pp.91-95
DC 2009-06-19
15:10
東京 機械振興会館 高機能FFによる微小遅延故障検出技術の小面積化手法
野口宏一朗野瀬浩一NEC)・尾野年信NECエレクトロニクス)・水野正之NEC
 [more] DC2009-16
pp.31-34
ICD 2009-04-13
14:30
宮城 大観荘(宮城県松島町) [招待講演]MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発
杉林直彦根橋竜介崎村 昇本庄弘明斉藤信作NEC)・伊藤雄一NECエレクトロニクス)・三浦貞彦加藤有光森 馨NEC)・尾崎康亮小林洋介NECエレクトロニクス)・大嶋則和木下啓藏鈴木哲広永原聖万NEC
 [more] ICD2009-3
pp.13-17
ICD 2008-12-12
13:20
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 [依頼講演] DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式
池永佳史野村昌弘NECエレクトロニクス)・中澤陽悦NEC)・林 喜宏NECエレクトロニクス
 [more] ICD2008-121
pp.95-100
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