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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:00
富山 富山県民会館 Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価
水谷朋子Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-83 ICD2011-51
 [more] SDM2011-83 ICD2011-51
pp.65-68
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:25
富山 富山県民会館 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
Anil Kumar水谷朋子東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2011-84 ICD2011-52
 [more] SDM2011-84 ICD2011-52
pp.69-73
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-22
10:25
広島 広島工業大学 アナログ基本回路における基板雑音感度の解析法
高谷 聡坂東要志神戸大)・大川 徹早田征明宝本敏治山田利夫熊代成孝最上 徹MIRAI-Selete)・永田 真神戸大ICD2011-28
アナログ回路の基板雑音応答は、雑音の発生源から対象回路までの基板伝播と、回路を構成するデバイスの感度とで構成されており、... [more] ICD2011-28
pp.73-78
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2010-11-29
11:20
福岡 九州大学医学部百年講堂 アナログ基本回路の基板雑音感度に関する考察
高谷 聡坂東要志長谷川貴士神戸大)・大川 徹早田征明宝本敏治山田利夫熊代成孝最上 徹半導体先端テクノロジーズ)・永田 真神戸大CPM2010-126 ICD2010-85
アナログ増幅回路における信号利得と基板ノイズ応答のその場評価システムを90 nm CMOSテクノロジで試作し、ジオメトリ... [more] CPM2010-126 ICD2010-85
pp.13-17
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2010-11-29
14:10
福岡 九州大学医学部百年講堂 [招待講演]LSIチップ光配線開発の現状と課題
大橋啓之MIRAI-Selete/NEC)・最上 徹MIRAI-SeleteCPM2010-129 ICD2010-88
LSIチップ上への光配線技術導入は,シグナルインテグリティおよびピン数問題に対する優れた回答になる可能性を持っている.課... [more] CPM2010-129 ICD2010-88
pp.31-36
SDM 2010-11-12
13:50
東京 機械振興会館 インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング
田中克彦中村英之上村大樹竹内 幹福田寿一熊代成孝最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-180
宇宙線中性子起因の二次イオンが発生させた電荷によって生じたエラー信号パルスが組み合わせ回路中を伝播する Single E... [more] SDM2010-180
pp.47-52
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:20
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析
平本俊郎鈴木 誠更屋拓哉清水 健東大)・西田彰男蒲原史朗竹内 潔最上 徹MIRAI-SeleteSDM2010-144 ICD2010-59
 [more] SDM2010-144 ICD2010-59
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:00
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
水谷朋子東大)・角村貴昭MIRAI-Selete)・Anil Kumar東大)・西田彰男竹内 潔稲葉 聡蒲原史朗MIRAI-Selete)・寺田和夫広島市大)・最上 徹MIRAI-Selete)・平本俊郎東大/MIRAI-SeleteSDM2010-150 ICD2010-65
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] SDM2010-150 ICD2010-65
pp.143-148
ICD, ITE-IST
(連催)
2010-07-22
10:20
大阪 常翔学園大阪センター 90 nm CMOS差動対トランジスタのVthとAC応答のその場評価
坂東要志高谷 聡長谷川貴士神戸大)・大川 徹早田征明宝本敏治山田利夫熊代成孝最上 徹半導体先端テクノロジーズ)・永田 真神戸大ICD2010-23
 [more] ICD2010-23
pp.11-14
SIP, CAS, CS
(共催)
2010-03-02
09:00
沖縄 宮古島 ブリーズベイマリーナ スキュー耐性の高い高効率Holdエラー補償手法
中村祐一NEC)・菅波和幸NECソフトウェア北陸)・江村秀之NECエレクトロニクスCAS2009-107 SIP2009-152 CS2009-102
 [more] CAS2009-107 SIP2009-152 CS2009-102
pp.167-172
DC 2010-02-15
09:00
東京 機械振興会館 統計的手法による微小Iddq変動外れ値の検出
中村芳行田中正史NECエレクトロニクスDC2009-65
プロセスの微細化に伴いIddqのばらつきが増大しており、Iddqテストが困難になっている。このため、Iddqの変動を観測... [more] DC2009-65
pp.1-5
SDM 2010-02-05
10:50
東京 機械振興会館 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
林 喜宏田上政由古武直也井上尚也中沢絵美子有田幸司NECエレクトロニクスSDM2009-183
28nm世代以降の最先端LSIや車載用途などの高い信頼性が必要とされるLSIに向けて、多孔質絶縁膜に埋設されたCuダマシ... [more] SDM2009-183
pp.7-11
SDM 2010-02-05
13:30
東京 機械振興会館 CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発
井口 学横川慎二相澤宏一角原由美土屋秀昭岡田紀雄今井清隆戸原誠人藤井邦宏NECエレクトロニクス)・渡部忠兆東芝SDM2009-186
CuAl合金シードプロセスを低誘電率層間膜(k=2.4)と低誘電率積層バリア膜(k=3.9)を用いた32nmノード配線構... [more] SDM2009-186
pp.25-29
SDM 2010-02-05
15:15
東京 機械振興会館 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術
山道新太郎森 健太郎菊池 克村井秀哉大島大輔中島嘉樹NEC)・副島康志川野連也NECエレクトロニクス)・村上朝夫NECSDM2009-189
インターポーザ基板製造プロセスをベースとするチップ-パッケージ間の多層Cuめっき配線技術を開発した。Cu配線の厚さは5~... [more] SDM2009-189
pp.43-48
RCS, SIP
(共催)
2010-01-21
15:40
福岡 九大 A mechanical-noise suppressor for digital cameras and camcorders
Akihiko SugiyamaNEC Corp.)・Tsutomu MaedaKwangsoo ParkNEC ElectronicsSIP2009-87 RCS2009-221
 [more] SIP2009-87 RCS2009-221
pp.83-86
SDM 2009-11-12
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]2009 SISPADレビュー
田中克彦MIRAI-SeleteSDM2009-136
2009 International Conference on Simulation of Semiconductor... [more] SDM2009-136
pp.7-11
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM 2009-11-13
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき
竹内 潔MIRAI-Selete/NECエレクトロニクス)・西田彰男MIRAI-Selete)・平本俊郎MIRAI-Selete/東大SDM2009-147
 [more] SDM2009-147
pp.67-71
SDM 2009-11-13
15:00
東京 機械振興会館 チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用
坂本浩則有本 宏増田弘生船山 敏熊代成孝MIRAI-SeleteSDM2009-148
 [more] SDM2009-148
pp.73-78
ICD, ITE-IST
(共催)
2009-10-02
12:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京(田町) フォールディング補間アーキテクチャを用いた自己補正方式6ビット2.7GS/s ADC
中島雄二NECエレクトロニクス)・○阪口明美大城戸敏夫NECマイクロシステム)・松本哲也四柳道夫NECエレクトロニクスICD2009-53
90nm CMOS プロセスを用いて 自己補正方式の6ビット2.7GS/s ADCを開発した。これは、数GHz動作のAD... [more] ICD2009-53
pp.111-116
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