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研究会	発表日時	開催地		タイトル・著者	抄録	資料番号
SDM	2008-06-10 10:55	東京	東京大学(生産研 An棟)	High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割 ○岩本邦彦・上牟田雄一（半導体MIRAI-ASET）・布重　裕（芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC）・平野晃人・小川有人・渡邉幸宗（半導体MIRAI-ASET）・右田慎二・水林　亘・森田行則（半導体MIRAI-産総研ASRC）・高橋正志（半導体MIRAI-ASET）・太田裕之（半導体MIRAI-産総研ASRC）・生田目俊秀（半導体MIRAI-ASET）・鳥海　明（半導体MIRAI-産総研ASRC/東大） SDM2008-51	[more]	SDM2008-51 pp.53-58
SDM, VLD (共催)	2006-09-26 16:15	東京	機械振興会館	反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション ○羽根正巳（NEC）・池澤健夫・河田道人（NEC情報システムズ）・江崎達也（広島大）・山本豊二（MIRAI-ASET）	反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more]	VLD2006-50 SDM2006-171 pp.65-69
SDM	2006-06-22 14:15	広島	広島大学, 学士会館	還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊 ○水林　亘・小川有人・生田目俊秀・佐竹秀喜・鳥海　明（産総研）	[more]	SDM2006-61 pp.107-111
ICD, SDM (共催)	2005-08-19 11:10	北海道	函館国際ホテル	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善 ○門島　勝・小川有人・高橋正志（MIRAI-ASET）・太田裕之（MIRAI-ASRC）・三瀬信行・岩本邦彦（MIRAI-ASET）・右田真司（MIRAI-ASRC）・藤原英明・佐竹秀喜・生田目俊秀（MIRAI-ASET）・鳥海　明（MIRAI-ASRC/東大）	Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問... [more]	SDM2005-148 ICD2005-87 pp.31-36

著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

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