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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 14:35 |
ONLINE | オンライン開催 | ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価 ○今城大渡・山肥田 涼・金森弘尚・渡邊龍一（金沢工大）・木村健司・今野泰一郎・藤倉序章（サイオクス）・山口敦史（金沢工大）  ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 |
GaNやその混晶の基礎材料物性は、完全には明らかにされていない。その要因として、完全な品質の結晶成長ができていないことが... [more] | ED2021-22 CPM2021-56 LQE2021-34 pp.37-40 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga₂O₃ショットキー接触の面内均一性評価 ○川角優斗（福井大）・堀切文正・福原 昇（サイオクス）・三島友義（法政大）・四戸 孝（FLOSFIA）・塩島謙次（福井大） ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 |
界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内に... [more] | ED2021-29 CPM2021-63 LQE2021-41 pp.67-70 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 ○渡久地政周・三輪和希（北大）・堀切文正・福原 昇・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 |
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] | ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46 pp.87-90 |
| ED, MW (共催) |
2020-01-31 11:45 |
東京 | 機械振興会館 地下3階6号室 | コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製 ○堀切文正・福原 昇（サイオクス）・渡久地政周・三輪和希（北大）・成田好伸・市川 磨・磯野僚多・田中丈士（サイオクス）・佐藤威友（北大） ED2019-98 MW2019-132 |
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] | ED2019-98 MW2019-132 pp.25-28 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2018-05-24 15:25 |
愛知 | 豊橋技科大VBL | GaN基板上GaNエピ層のFT-IRによる評価 ○堀切文正・成田好伸・吉田丈洋（サイオクス） ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13 |
フーリエ変換赤外分光(FT-IR)を用いて、自立GaN基板上GaNホモエピタキシャル層の非破壊膜厚測定を行った。FT-I... [more] | ED2018-18 CPM2018-5 SDM2018-13 pp.19-22 |
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