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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-10-29
14:00
宮城 東北大学未来研 [招待講演]イオン注入技術の現状と課題
中島良樹濱本成顕酒井滋樹おの田 博日新イオン機器SDM2015-71
 [more] SDM2015-71
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
11:00
京都 京都大学 炭素系多原子分子イオンのシリコンへの照射効果
竹内光明林 恭平龍頭啓充高岡義寛京大)・永山 勉松田耕自日新イオン機器EID2014-17 SDM2014-112
炭化水素多原子分子イオンC$_{n}$H$_{n}^{+}$($n$=3, 7, 14)及びC$_{n}$H$_{2n+... [more] EID2014-17 SDM2014-112
pp.21-24
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:00
愛知 名古屋大学VBL3階 P - GaN by Mg Ion Implantation for Power Device Applications
Zheng SunMarc OlssonNagoya Univ.)・Tsutomu NagayamaNissin Ion Equipment)・Yoshio HondaHiroshi AmanoNagoya Univ.ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38
 [more] ED2014-40 CPM2014-23 SDM2014-38
pp.109-112
SDM 2014-01-29
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術
水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研SDM2013-138
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] SDM2013-138
pp.13-16
ED 2010-10-25
13:25
京都 宇治おうばくプラザ(京都大学) 三フッ化メタンプラズマ処理したシリコン電界放出電子源の表面状態と電子放出特性
後藤康仁遠藤恵介辻 博司京大)・石川順三中部大)・酒井滋樹日新イオン機器ED2010-129
三フッ化メタンプラズマ処理を施したシリコン電界放出電子源の電子放出特性の経時変化の原因を調べる目的で、同じ処理を施したシ... [more] ED2010-129
pp.7-10
ED 2008-08-05
09:50
静岡 静岡大学浜松キャンパス シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用
竹内光明JSTイノベーションプラザ京都)・後藤康仁辻 博司京大)・酒井滋樹日新イオン機器)・木本恒暢石川順三京大ED2008-119
半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビー... [more] ED2008-119
pp.49-52
SDM 2007-12-14
10:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 半導体レーザ加熱処理による浅い接合形成
鮫島俊之東京農工大)・佐野直樹ハイテックシステムズ)・内藤勝男日新イオン機器SDM2007-223
 [more] SDM2007-223
pp.5-8
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