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SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2022-07-29
14:55
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [招待講演]GaN系W級高出力半導体レーザーおよびmW級垂直共振器型面発光レーザー
尾﨑拓也岡久英一郎枡井真吾柳本友弥長濱慎一日亜化学
 [more]
SID-JC
(共催)
ITE-IDY, EID
(連催) [詳細]
2021-07-30
13:30
ONLINE オンライン開催 (Zoom) [依頼講演]ピーク輝度5000nitを超えるHDR液晶ディスプレイに向けた2次元バックライトの開発
秋元 肇山本敦司鷲尾 一中野武俊日亜化学
 [more]
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:25
大阪 大阪市立大学 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
Yoon Seok KimKyout Univ.)・Akio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi MiyoshiShin-ichi NagahamaNichiaED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている.とくに,従来用いられている(0001)極性面と... [more] ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
pp.71-74
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
15:50
愛知 名古屋工業大学 マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード
船戸 充林 敬太上田雅也川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108
GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した.各ファセット面における量子... [more] ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108
pp.57-60
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
09:30
京都 京都大学 470及び400 nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価
小島一信船戸 充川上養一京大)・ウルリヒ T シュワルツハラルド ブラウンレーゲンスブルグ大)・長濱慎一向井孝志日亜化学
 [more] ED2006-161 CPM2006-98 LQE2006-65
pp.51-55
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
09:55
京都 京都大学 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
上田雅也小島一信船戸 充川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学
半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し,その光学特性... [more] ED2006-162 CPM2006-99 LQE2006-66
pp.57-61
CPM 2006-09-15
13:25
東京 機械振興会館 光ディスクの高倍速データ読出し化における半導体レーザ駆動技術 ~ Super-HFM ~
近藤秀樹森 直基日亜化学
光ディスクのデータ読出し時に,高周波重畳の周波数をレーザダイオードの緩和振動帯域に設定し,閾値電流以上で重畳することによ... [more] CPM2006-80
pp.7-11
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
15:30
滋賀 立命館大学 InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係
金田昭男船戸 充京大)・成川幸男向井孝志日亜化学)・川上養一京大
 [more] ED2005-154 CPM2005-141 LQE2005-81
pp.73-76
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
15:50
滋賀 立命館大学 InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光
船戸 充小谷晃央近藤 剛西塚幸司京大)・成川幸男向井孝志日亜化学)・川上養一京大
 [more] ED2005-155 CPM2005-142 LQE2005-82
pp.77-80
NLP 2005-01-24
16:40
香川 香川大学 CNNを用いた二次元導体板の解析手法
小田将敬徳島大)・楊 宗晃日亜化学)・西尾芳文徳島大)・牛田明夫徳島文理大
 [more] NLP2004-96
pp.41-44
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