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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-01-30
13:10
東京 機械振興会館(B3-1) [招待講演]セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発
張 文馨産総研)・余 心仁洪 子杰李 耀仁台湾半導体研究中心)・趙 天生台湾陽明交通大)・王 永和台湾成功大)・前田辰郎産総研SDM2022-79
 [more] SDM2022-79
pp.1-4
ED 2007-11-28
09:00
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]テラへルツ波領域における生体材料の分光と画像解析
渡辺民朗岩手県立大)・倉林 徹岩手県立大/半導体研)・平塚 明菊地紀江岩手県立大)・西澤潤一半導体研)・澤井高志岩手医科大)・土岐規仁岩手大ED2007-196
テラヘルツ波の発生,測定装置が簡易型になり、研究室レベルでの利用が可能となった.即ち半導体研究所の西澤・須藤らが半導体G... [more] ED2007-196
pp.51-56
ED 2007-11-28
09:40
宮城 東北大学 電気通信研究所 サブテラヘルツ・タンネット発振器と木材・コンクリート欠陥探傷への応用
小山 裕李 禎加賀谷宗仁田邉匡生東北大)・西澤潤一真壁浩樹倉林 徹半導体研究振興会ED2007-197
コンパクトで室温で動作するサブテラヘルツ光源であるタンネット発振器を用いて、木材やコンクリート等の構造物欠陥イメージング... [more] ED2007-197
pp.57-62
ED 2007-11-28
10:45
宮城 東北大学 電気通信研究所 GaP導波路構造によるテラヘルツ波発生の高効率化
齊藤恭介野澤 圭田邉匡生小山 裕東北大)・木村智之須藤 建佐々木哲朗西澤潤一半導体研ED2007-199
GaP結晶を用いる近赤外レーザの差周波混合に基づきテラヘルツ(THz)波の発生を行っている。その発生効率向上のひとつの方... [more] ED2007-199
pp.67-72
ED 2007-11-28
11:10
宮城 東北大学 電気通信研究所 半導体レーザー励起CWテラヘルツ波発生
田邉匡生ラガム スリニバサ小山 裕東北大)・佐々木哲朗西澤潤一須藤 建半導体研ED2007-200
我々は光学フォノンを生かしたテラヘルツデバイスを開発している.そのひとつとして半導体レーザを用いるGaPフォノン励起・差... [more] ED2007-200
pp.73-76
SDM 2007-06-08
15:05
広島 広島大学(学士会館) Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性
前田辰郎森田行則西澤正泰産総研)・高木信一産総研/東大SDM2007-50
 [more] SDM2007-50
pp.101-106
ICD 2007-04-13
09:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝ICD2007-10
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mb... [more] ICD2007-10
pp.53-58
SDM 2006-06-22
14:15
広島 広島大学, 学士会館 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfo2膜の初期絶縁破壊
水林 亘小川有人生田目俊秀佐竹秀喜鳥海 明産総研
 [more] SDM2006-61
pp.107-111
ICD 2006-05-25
15:45
兵庫 神戸大学 [特別招待講演]Deep Sub-100nmの設計チャレンジ
古山 透東芝
ムーアの法則とスケーリング則は、長期に渡り半導体の発展の
支柱となって来た。しかし100nmを下回る技術世代になり、
... [more]
ICD2006-29
pp.43-48
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