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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:00
石川 金沢大学 角間キャンパス SRAMセル安定性指標パラメータの検討:ノイズマージンかVminか?
Anil Kumar更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大
SRAMセルの安定性の指標となるパラメータとして,ノイズマージン(NM)と最低動作電圧(Vmin)を比較検討した.NMと... [more] SDM2013-74 ICD2013-56
pp.43-46
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-04
09:30
北海道 サン・リフレ函館 自動パワーゲーティングと多段インバータを用いた0.7V、9.2uW、39MHz水晶発振回路
井口俊太東大)・齋藤 晶半導体理工学研究センター)・鄭 雲飛東大)・渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大
無線センサネット向け無線通信用の発振周波数39MHzの低電圧・低消費電力水晶発振回路を40nm CMOSで開発した。本稿... [more] ICD2013-24
pp.1-6
ICD, ITE-IST
(連催)
2013-07-04
10:20
北海道 サン・リフレ函館 共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠型共振クロック分配技術
更田裕司東大)・野村昌弘半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大
本稿では,閾値電圧近傍の非常に低い電源電圧で動作するロジック回路向けの,共振周波数と独立にクロック周波数を設定可能な間欠... [more] ICD2013-26
pp.13-18
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
MW 2013-03-07
14:20
広島 広島大学 [招待講演]センサネット向けサブ50uW, 0.5V動作315MHz帯トランシーバ回路
高宮 真東大)・齋藤 晶半導体理工学研究センター)・井口俊太本田健太郎鄭 雲飛東大)・渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] MW2012-177
pp.97-102
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
小林大介宮地幸祐中大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健中大
6T-SRAMにおいて,しきい値電圧(VTH)のばらつきにより低下する読み出しマージンを改善するため,パスゲートトランジ... [more] ICD2012-94
p.31
ICD 2012-12-18
14:20
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール デュアル電源電圧方式による315MHz帯無線送信回路の高効率化
井口俊太東大)・齋藤 晶渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大
315MHz帯無線センサネット向けの通信速度1Mbps、キャリア周波数314MHz、OOK変調方式の低電圧・低消費電力無... [more] ICD2012-119
pp.121-126
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
09:35
北海道 札幌市男女共同参画センター 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
吉本秀輔寺田正治梅木洋平奥村俊介神戸大)・川澄 篤鈴木利一森脇真一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
 [more] SDM2012-64 ICD2012-32
pp.7-12
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
10:00
北海道 札幌市男女共同参画センター SRAMセル安定性の一括ポストファブリケーション自己修復技術
クマール アニール更屋拓哉東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・平本俊郎東大
電源電圧線(VDD)へ高電圧ストレスを製造後に印加することにより,SRAMセルの安定性が自己修復することを1kビットのS... [more] SDM2012-65 ICD2012-33
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
11:25
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]0.5V動作低エネルギー回路と応用
篠原尋史半導体理工学研究センター
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] SDM2012-67 ICD2012-35
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
13:35
北海道 札幌市男女共同参画センター オンチップゲートブーストを用いた0.45V入力、効率90%以上のバックコンバータ
張 信陳 柏宏東大)・劉 良勝半導体理工学研究センター)・石田光一東大)・大熊康介渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大
 [more] SDM2012-83 ICD2012-51
pp.111-114
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
15:30
北海道 札幌市男女共同参画センター 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機
浦野雄貴松原岳志慶大)・林 勇半導体理工学研究センター)・アブル ハサン ジョハリ小平 薫徐 照男黒田忠広石黒仁揮慶大
本研究では高速近接無線通信のための適応パルス幅制御を用いたパルスベース磁界結合通信機を提案する.適応パルス幅制御器はデジ... [more] SDM2012-86 ICD2012-54
pp.127-132
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 38uW間欠サンプリング受信回路と52uW F級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps,315MHz帯無線トランシーバ
井口俊太東大)・斎藤 晶半導体理工学研究センター)・本田健太郎鄭 雲飛東大)・渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大
 [more] SDM2012-87 ICD2012-55
pp.133-138
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
12:00
沖縄 沖縄県青年会館 Reliability Measurement of PFETs under Post Fabrication Self-Improvement Scheme for SRAM
Nurul Ezaila AliasAnil KumarTakuya SarayaUniv. of Tokyo)・Shinji MiyanoSTARC)・Toshiro HiramotoUniv. of Tokyo
The negative bias temperature instability (NBTI) reliability... [more]
ICD 2012-04-23
17:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [パネル討論]”復興”メモリと日本の明日に向かって
宮野信治半導体理工学研究センター)・佐々木 淳岩手県庁)・大石基之日経BP)・松永翔雲東北大)・竹内 健中大)・助川 博東芝
 [more] ICD2012-6
p.29
ICD 2012-04-24
13:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
宮地幸祐東大)・鈴木利一パナソニック)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
 [more] ICD2012-12
pp.61-66
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
ICD 2012-04-24
14:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM
吉本秀輔寺田正治奥村俊介神戸大)・鈴木利一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
本論文では,低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する.提案技術は,プリチャージレスイコ... [more] ICD2012-14
pp.73-78
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
12:55
富山 富山県民会館 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術
高宮 真石田光一更田裕司東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] SDM2011-88 ICD2011-56
pp.87-92
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
16:05
富山 富山県民会館 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(VDDmin)の低減
本田健太郎池内克之東大)・野村昌弘半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大
 [more] SDM2011-94 ICD2011-62
pp.121-126
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