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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, DC, IPSJ-SLDM (連催) ICD, CPM (共催) CPSY, RECONF (併催) [詳細] |
2010-11-29 11:20 |
福岡 | 九州大学医学部百年講堂 | アナログ基本回路の基板雑音感度に関する考察 ○高谷 聡・坂東要志・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大）  CPM2010-126 ICD2010-85 |
アナログ増幅回路における信号利得と基板ノイズ応答のその場評価システムを90 nm CMOSテクノロジで試作し、ジオメトリ... [more] | CPM2010-126 ICD2010-85 pp.13-17 |
| ICD, ITE-IST (連催) |
2010-07-22 10:20 |
大阪 | 常翔学園大阪センター | 90 nm CMOS差動対トランジスタのVthとAC応答のその場評価 ○坂東要志・高谷 聡・長谷川貴士（神戸大）・大川 徹・早田征明・宝本敏治・山田利夫・熊代成孝・最上 徹（半導体先端テクノロジーズ）・永田 真（神戸大） ICD2010-23 |
[more] | ICD2010-23 pp.11-14 |
| SDM | 2010-02-05 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討 ○中村直文・小田典明・曽田栄一・細井信基・側瀬聡文・青山 肇・田中雄介・河村大輔・隣 真一・塩原守雄・垂水喜明・近藤誠一・森 一朗・斎藤修一（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-184 |
本報告においては、EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチ2層デュアルダマシン構造の作製を行い、電気特性の評価を行った... [more] | SDM2009-184 pp.13-18 |
| SDM | 2009-11-13 15:00 |
東京 | 機械振興会館 | チャネル不純物分布を正確に反映した離散化表面ポテンシャルモデルとその超高速不純物濃度ばらつき解析への応用 ○坂本浩則・有本 宏・増田弘生・船山 敏・熊代成孝（MIRAI-Selete） SDM2009-148 |
[more] | SDM2009-148 pp.73-78 |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| OPE | 2008-12-19 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］オンチップ光配線開発の動向 ○大橋啓之（NEC/MIRAI-Selete） OPE2008-140 |
LSIにおいては、トランジスタの微細化に伴いゲート遅延が短縮される一方で、信号の高周波化および配線の微細・複雑化に伴い配... [more] | OPE2008-140 pp.23-24 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-17 09:00 |
東京 | 機械振興会館 | (100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 ○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-128 ICD2008-38 |
(110) 基板は(100) 基板上と比較して正孔の有効質量が実効的に小さいことから大きな正孔移動度が得られる。しかしな... [more] | SDM2008-128 ICD2008-38 pp.1-6 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-146 ICD2008-56 |
自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pu... [more] | SDM2008-146 ICD2008-56 pp.103-108 |
| SDM | 2008-06-10 10:30 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 ～ Ruの実効仕事関数変化の起源 ～ ○森 大樹・大田晃生・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-50 |
厚さ1~6nmのSiO2もしくは厚さ0.7nmのSiON上に、~2.5nmのHfSiONを形成後、仕事関数制御メタルとし... [more] | SDM2008-50 pp.47-52 |
| SDM | 2008-06-10 11:20 |
東京 | 東京大学(生産研 An棟) | TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 ～ Al拡散による実効仕事関数変化の緩和 ～ ○大田晃生・森 大樹・吉永博路・宮崎誠一（広島大）・門島 勝・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ） SDM2008-52 |
厚さ~2.5nmのHfSiON膜をSiO2(~1nm)/Si(100)上に形成後、仕事関数制御メタルとして厚さ~30nm... [more] | SDM2008-52 pp.59-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 13:00 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］日本が目指すナノエレクトロニクス大国 ○渡辺久恒（半導体先端テクノロジーズ） SDM2007-162 ICD2007-90 |
[more] | SDM2007-162 ICD2007-90 p.117 |
| SDM | 2007-06-08 10:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果 ○田村知大・内藤達也（筑波大）・佐藤基之・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・蓮沼 隆・山部紀久夫（筑波大） SDM2007-42 |
電圧ストレス下におけるHfSiOx膜およびHfSiON膜のしきい値電圧変化を評価した。その結果、しきい値電圧の変化を-Δ... [more] | SDM2007-42 pp.59-64 |
| SDM | 2006-06-21 14:55 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-46 pp.25-30 |
| SDM | 2006-06-21 16:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
[more] | SDM2006-48 pp.37-41 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
| SDM | 2006-06-22 14:40 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | HfSiON膜電気特性の窒素濃度依存性 ○蓮沼 隆・内藤達也（筑波大）・犬宮誠治（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久夫（筑波大） |
[more] | SDM2006-62 pp.113-117 |
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