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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Compositional Transition Layers at Gate Dielectrics/Si Interface by using Angle-resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy ○Tomoyuki Suwa（Tohoku Univ.）・Takashi Aratani（Shin-Etsu Chemical）・Masaaki Higuchi（TOSHIBA）・Sigetoshi Sugawa（Tohoku Univ.）・Eiji Ikenaga（JASRI）・Jiro Ushio（Hitachi）・Hiroshi Nohira（Musashi Inst. of Tech.）・Akinobu Teramoto・Tadahiro Ohmi・Takeo Hattori（Tohoku Univ.）  ED2009-86 SDM2009-81 |
[more] | ED2009-86 SDM2009-81 pp.157-160 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 15:10 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | 塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討 ○堀井美徳（産総研/鳥取大）・井川光弘・坂口幸一・近松真之・吉田郵司・阿澄玲子（産総研）・茂木 弘（科学技術推進機構/信越化学）・北川雅彦・小西久俊（鳥取大）・八瀬清志（産総研） SDM2009-3 OME2009-3 |
ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)薄膜トランジスタ（TFT)のSiO_2ゲート絶縁膜表面の自己組織化単分子膜（S... [more] | SDM2009-3 OME2009-3 pp.9-14 |
| SDM | 2008-10-10 16:15 |
宮城 | 東北大学 | 角度分解光電子分光法によるゲート絶縁膜/シリコン基板界面に形成される構造遷移層に関する研究 ○諏訪智之（東北大）・荒谷 崇（信越化学）・樋口正顕（東芝）・須川成利（東北大）・池永英司（高輝度光科学研究センター）・牛尾二郎（日立）・野平博司（武蔵工大）・寺本章伸・大見忠弘・服部健雄（東北大） SDM2008-167 |
研究は、Si(100)、Si(111)、Si(110)基板上にNHラジカルにより形成したシリコン窒化膜について、軟X線励... [more] | SDM2008-167 pp.69-74 |
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